CXDR7528B系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或N-ch Open Drain输出-行业新闻-嘉泰姆电源方案

CXDR7528B系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或N-ch Open Drain输出

一,产品概述(General Description)
CXDR7528B系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可
编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选
择CMOS输出或N-ch Open Drain输出。
CXDR7528F系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片，具高精度
低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围，基
本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了
CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时，减少了应用电路中的外围器件。
CXDR7528C系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测
芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或
Open Drain输出。
二.产品特点(Features)
输出电压精度高：精度可达±1.0%
消耗电流少： 4uA(Vin=3.0V)
工作电压范围： 0.7V-7.0V
检测电压温度特性： ±100ppm(typ.)
输出配置： N-channel open drain或CMOS
工作电压=1.5-7.0V
延迟=N
静态功耗=4uA
输出方式=N-channel open drain and CMOS
封装形式:SOT-23-5L,SOT-353L
三,应用范围 (Applications)
微处理器复位电路
存储器电池备份电路
上电复位电路
供电失效检测
系统电池寿命和充电电压监测
窗比较器
波形锐化电路
四.下载产品资料PDF文档

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QQ截图20160419174301.jpg

五,产品封装图 (Package)

六.电路原理图

七,功能概述

参数		符号	最大值	单位
输入电压		VIN	12	V
输出电流		IOUT	50	mA
输出电压	CMOS	VOUT	VSS -0.3 ~ VIN + 0.3	V
输出电压	N 管漏开路	VOUT	VSS -0.3 ~ 9	V
功耗
	SOT-23	Pd	150	mW
	SOT-89		500
TO-92
300
操作温度范围
Topr	-30～+85	℃
保存温度范围		Tstg	-40～+125	℃

八,相关产品

产品名称	工作电压(V)	延迟	静态功耗(uA)	输出方式	封装形式
CXDR7525A	2.0-6.5	N	8	单节锂电池4段电量显示	SOT-23-6
CXDR7526	0.7-7.0	Y	1.5	N-channel open drain or CMOS	SOT-143
CXDR7527	0.7-6.0	Y	1.5	N-channel open drain or CMOS	SOT-23-3
CXDR7528F	0.7-7.0	Y	2	N-channel open drain or CMOS	SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92
CXDR7528C	0.7-7.0	N	2	N-channel open drain or CMOS	SOT-23-3
CXDR7528B	1.5-7.0	N	4	N-channel open drain and CMOS	SOT-23-5,SOT-353

本文链接:http://www.jtm-ic.com/aspcms/news/2016-1-28/2161.html

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点击次数：662 更新时间：2016/1/28 16:23:02 【打印此页】【关闭】

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CXDR7528B系列芯片是使用CMOS技术开发的高精度、低功耗、小封装、可编程电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择CMOS输出或N-ch Open Drain输出