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CXMS5213XG系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
z 超小封装：SOT23
z 电池电源管理
z 高速开关
z 低功率 DC DC 转换
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略
MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) | |||||||
Part | Mode | VDS(Max) | VGS | ID(Max) | RDS(on) | Application | Package |
N channel | 20V | 12V | 5.2A | 37mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOT23 | |
N channel | 20V | 8V | 3A | 22mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOT23/SOT23-3 | |
N channel | 20V | 12V | 5.2A | 29mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOT23 | |
Double N | 20V | 12V | 6A | 22mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOP8 | |
N channel | 30V | 12V | 5.8A | 25mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOT23/SOT23-3 | |
N channel | 30V | 20V | 4.4A | 35mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | SOT23 | |
Double N | 20V | 12V | 6A | 21mΩ | ①②③④⑤ | SOT23-6/ TSSOP8 | |
Double N | 20V | 12V | 5A | 19mΩ | ①②③④⑤⑥⑦⑧ | TSSOP8/SOT26 | |
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection | |||||||
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