CXSU63191系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及 VLX 限幅电路等组成升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V

CXSU63191系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及 VLX 限幅电路等组成升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V—6V可选

CXSU63191系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及 VLX 限幅电路等组成。CXSU63191系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。CXSU63191输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V—6V 可选

产品特点 返回TOP

该设计产品系列 DC/DC升压转换器芯片在应用中具有优越的性能：

1.外接元件少：需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感20～220μH，钽电容47～200μF，肖特基二极管。

2. 极低的静态电流： 4uA

3. 低噪声及低纹波：纹波典型值为100mV

4. 驱动能力强：

Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时，Iout=100mA

Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时，Iout=750mA

5. 启动工作电压低：最大 0.8V

6. 高效率： 85%(Typ)

7. 封装体积小： SOT89-3 ,SO23-3

应用范围 返回TOP

系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：

1、电池供电设备的电源部分。

2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。

3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。

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产品封装图 返回TOP

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DC-DC升压
型号	输入电压	输出电压	最大充电流	效率	封装
CXSU63188	2.3V~6V	26V	2.8A	95%	SOT23-6L
CXSU63189	1.1V~5.5V	5V	3A	90%	SOT-23-6L
CXSU63190	3.2V ~ 6.5V	3~8V	6A	92%	ESOP8
CXSU63191	3V~6V	3V~5V	750MA	85%	SOT89-3,SOT23
CXSU63192	0.9V~4.4V	2.5V~4.3V	1A	95%	SOT23-6L
CXSU63193	3V	1.8V～3.3V	1A	95%	SOT89-3,SOT23,OT23-5
CXSU63194	2.7V～5.5V	5V	1A	90%	SOT23-5
CXSU63195	3.0V～4.2V	5V	1A	90%	SOT23-6L
CXSU63196	3～4.2V	5V	1A	90%	SOT23-6
CXSU63197	1.6V~3.3V	5V	800mA	90%	SOT23-6
CXSU63198	3～4.2V	5V	1A	90%	SOT23-6
CXSU63199	1.6V~3.3V	5V	2A	90%	SOT23-6
CXSU63200	1.5~4.5	2.5V~5.0V	300mA	89%	SOT23、SOT23-5、SOT89-3和TO-92
CXSU63201	2.2V~5V	5V~18V	700mA	88%	SOT-23-6L
CXSU63202	2.2V~5V	5V~18V	700mA	90%	SOT-23-6L

本文链接:http://www.jtm-ic.com/aspcms/news/2018-2-22/5604.html

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点击次数：231 更新时间：2018/2/22 15:49:50 【打印此页】【关闭】

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