CXES4276 CXES4276A CXES4276B集成了高边N沟道MOSFET和低边N沟道MOSFET以及自适应死区控制内置的三态脉冲宽度调制输入支持多个脉冲宽度调制控制器高达1.5MHz的脉宽调制操作三态PWM输入功能定时控制功能

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2025-05-28

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CXES4276 CXES4276A CXES4276B集成了高边N沟道MOSFET和低边N沟道MOSFET以及自适应死区控制。CXES4276A CXES4276B具有内置的三态脉冲宽度调制输入功能，可支持多个脉冲宽度调制控制器。当PWM输入信号保持三态时，三态函数在不考虑ZC函数的情况下关闭高侧MOSFET，打开低侧MOSFET。该装置还配备了上电复位（POR）和使控制功能成为一个单一的包和准确的电流限制。该器件的过流保护通过使用低边MOSFET的RDS（ON）上的电压降来监测输出电流，从而消除了对高效率和低成本的电流传感电阻的需求。带滞后的POR电路监测VCC电源电压，以便在通电/断电时启动/关闭IC。CXES4276A CXES4276B也可以由其他电源系统启用或禁用。将EN引脚拉高或拉低将打开或关闭设备。
·VCC的4.5V~5.5V输入范围
·车辆识别号的4.5V~25V输入范围
·VCC引脚上电复位监控
·高达25A（峰值），13A（连续）输出电流刻度
·可调过流保护阈值
·高达1.5MHz的脉宽调制操作
·内置三态PWM输入功能
·内置定时控制功能
·内置N-CH MOSFETforhighside，N-CH MOSFET for low side
·跳过模式操作
·过温保护

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[ CXES4276 ]

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