高性能高压降压隔离拓扑方案简介
发表时间：2025-04-27 浏览次数：28
方案简介
本文介绍 CXSD62653高性能降压隔离拓扑方案，输入电压 12V~72V，双路输出5V电压，一路隔离，一路非隔离，
总输出功率在3W以内，可以实现主回路空载，隔离回路带载的应用，且 CXSD62653高性能降压隔离拓扑方案具有优秀的
线性调整率与负载调整率。
CXSD62653 降压隔离拓扑方案原理图
备注：
1. 输出电压 VOUTA=VOUTB=1.25*(1+R2/R1)；
2. 选择耦合度高的电感，以保证通道 2 的输出电压稳定。
物料清单
DEMO 实物图
PCB 布局
本文介绍 CXSD62653高性能降压隔离拓扑方案，输入电压 12V~72V，双路输出5V电压，一路隔离，一路非隔离，
总输出功率在3W以内，可以实现主回路空载，隔离回路带载的应用，且 CXSD62653高性能降压隔离拓扑方案具有优秀的
线性调整率与负载调整率。
CXSD62653 降压隔离拓扑方案原理图
备注：
1. 输出电压 VOUTA=VOUTB=1.25*(1+R2/R1)；
2. 选择耦合度高的电感，以保证通道 2 的输出电压稳定。
物料清单
备注：
1.FB走线远离电感与副回路肖特基等开关信号节点，建议使用地线包围；
2.缩短电流回路面积：
1.FB走线远离电感与副回路肖特基等开关信号节点，建议使用地线包围；
2.缩短电流回路面积：
（1）输入电容靠近芯片的VIN引脚与GND引脚；
（2）输出电容C2正极靠近电感L1，负极靠近芯片的GND引脚；
（3）输出电容COUT2靠近肖特基二极管D2和电感L1。
（2）输出电容C2正极靠近电感L1，负极靠近芯片的GND引脚；
（3）输出电容COUT2靠近肖特基二极管D2和电感L1。
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