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CXSU63305同步整流升压方案:12V转24V10A高效电源转换解决方案
发表时间:2025-08-25 浏览次数:5

CXSU63305同步整流升压方案:12V转24V10A高效电源转换解决方案

          在当今高效能电源转换需求日益增长的背景下,同步整流技术因其显著提升的效率和可靠性,成为工业、通信和消费电子等领域的热门选择。本文详细介绍基于CXSU63305芯片的同步整流升压方案,实现12V输入转24V输出、最大10A电流的高效电源转换,适用于多种高压应用场景。d4z嘉泰姆


一、方案概述

         CXSU63305是一款专为同步整流BOOST拓扑设计的高效电源管理芯片。本方案采用双层PCB设计(尺寸69mm × 53mm × 22mm),具备紧凑的结构与优异的散热性能。其输入电压范围为9V–15V(可定制拓宽),输出电压稳定在24V,最大输出电流达10A,峰值效率可达95%,适用于-30℃至65℃的宽温工作环境。d4z嘉泰姆

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二、技术特性与优势

2.1.高效率转换:采用同步整流MOS管替代传统快恢复二极管,大幅降低导通损耗,效率最高达95%。d4z嘉泰姆
2.2.多重保护机制:支持逐周限流控制与输出短路打嗝保护,提升系统可靠性。d4z嘉泰姆
2.3.宽输入电压范围:适应9V–15V输入,可根据需求定制更宽范围。d4z嘉泰姆
2.4.紧凑设计:小型化PCB布局,适合空间受限的应用场景。

三、应用领域

本方案广泛应用于以下场景:d4z嘉泰姆

1.电池供电设备d4z嘉泰姆

2.电动自行车转换器d4z嘉泰姆

3.高压模拟/数字系统d4z嘉泰姆

4.工业控制系统d4z嘉泰姆

5.电信电源系统d4z嘉泰姆

6.便携式移动设备d4z嘉泰姆

7.逆变器系统d4z嘉泰姆


四、效率性能分析

在12V输入、24V输出条件下,本方案在不同负载下的效率表现如下表所示:d4z嘉泰姆

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轻载至半载阶段效率稳步上升,满载时仍保持在94%以上,表现出色。d4z嘉泰姆


五、拓扑结构与工作原理

          本方案的拓扑为典型的同步整流 BOOST 结构。采用同步整流 MOS 管代替快恢复整流二极管,从而极大d4z嘉泰姆
提高电源转换效率。其中,Q1 为高端 MOS 管,Q2 为同步整流 MOS 管,两个 MOS 管的 PWM 为互补并带d4z嘉泰姆
有死区时间控制的信号,分别驱动 Q1 和 Q2 的导通和关断。L 为储能电感,R 为负载电阻,C 为输出端电容。d4z嘉泰姆
当开关管 Q1 导通时,输入电压对电感 L 充电;当 Q1 截止时,整流管 Q2 同步打开导通,输入电压和电d4z嘉泰姆
感上积蓄的能量共同向电容 C 充电并向负载 R 提供能量。

5.1.本方案采用同步整流BOOST拓扑结构,主要包含以下部分:d4z嘉泰姆

5.1.1)Q1:高端MOS管(开关管)d4z嘉泰姆

5.1.2)Q2:同步整流MOS管d4z嘉泰姆

5.1.3)L1:储能电感(33μH)d4z嘉泰姆

5.1.4)C1, C5:输出滤波电容(470μF/35V)d4z嘉泰姆

5.1.5)C7, C13:输入滤波电容(1000μF/16V)d4z嘉泰姆

5.2.工作过程:

5.2.1)Q1导通阶段:输入电压对电感L1充电,电能转化为磁能存储。d4z嘉泰姆

5.2.2)Q1关断阶段:Q2同步导通,电感和输入电压共同向输出电容和负载供电。d4z嘉泰姆

通过互补PWM信号控制Q1和Q2的交替导通,实现高效能量转换。d4z嘉泰姆


六、系统设计要点

6.1 启动过程
          R21 电阻悬空时,输入电源通过外部 R2 电阻对 VCC 引脚的外接电容开始充电,此时 CXSU63305 芯片将在
低静态电流工作模式大概消耗 50uA 的工作电流,内部仅 UVLO 电路在工作,其他振荡器及 PWM 模块都处d4z嘉泰姆
于关闭状态,输出电压为零,当 VDD 引脚上的电容电压充电到 3.6V 以上时,芯片开始正常工作,开启振荡d4z嘉泰姆
器、PWM 模块及反馈处理电路,输出电压稳压输出,同时输出电压通过外部二极管到 VCC 引脚提供 VCC 工d4z嘉泰姆
作电源,启动过程结束。

通过外部电阻R2对VCC电容充电,当电压达到3.6V时,芯片启动,进入正常工作模式。启动电压和关断电压可通过外部分压电阻调节:d4z嘉泰姆

1.启动电压:Vstart​=1.2V×R21/(R20+R21​)+18μA×R20d4z嘉泰姆

2.关断电压:Vstop​=1.2V×(R20+R21​)/R21d4z嘉泰姆

建议将关断电压设为正常输出电压的70%–90%。d4z嘉泰姆

6.2 输出电压设置

输出电压通过FB引脚(8脚)外接分压电阻调节:d4z嘉泰姆

Vout​=(1+R15​/R18)×1.2V

例如,设置R15=200kΩ、R18=10kΩ,可得Vout=25.2V。d4z嘉泰姆

6.3 峰值限流保护
          CXSU63305 芯片的高端输出峰值电流限流大小由高端 MOS 管内阻决定,峰值电流的关系式是 IPK=180mV/d4z嘉泰姆
(高端 MOS 管内阻);芯片低端输出峰值电流限流大小由低端 MOS 管串联电阻 R7 决定,峰值电流的关系d4z嘉泰姆
式是 IPK=180mV/R7。

1.高端限流由MOS管内阻决定:Iw​=​180mV​/Rds(on)d4z嘉泰姆

2.低端限流由采样电阻R7决定:Iw​=180mV​/R7d4z嘉泰姆

3.叠加谐波补偿后:IPK={180mV‐2*R6/(R6+R24)}/R7d4z嘉泰姆


七、关键元器件选型指南

7.1.输入电容以及输出电容:选择高频低ESR的电解电容或固态电容,提升效率与响应速度。d4z嘉泰姆

C1、C5 为输出电容,C7、C13 为输入电容,这 4 个电容特性对整机的转换效率有明显影响,所以要选择d4z嘉泰姆

高频低内阻的电容,以提高效率d4z嘉泰姆

7.2.开关 MOS 管:选用低内阻、低结电容(Ciss, Coss, Crss)的型号,如AP90N04K。d4z嘉泰姆

     Q1、Q2、Q3、Q4 这 4 个 MOS 管特性对整机的转换效率有明显影响,所以要选择导通内阻小,以及结d4z嘉泰姆
电容(Ciss、Coss、Crss)小的 MOS 管。d4z嘉泰姆
     在调试时,注意 MOS 管的开关毛刺尖峰,如果尖峰过大,可以将 MOS 管门级电阻改大。
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7.3.功率电感:CXSU63305 有两种工作模式分连续工作模式和不连续工作模式,电感的取值将影响升压器的工作模式,在d4z嘉泰姆
轻载时 CXSU63305 工作在不连续工作模式,同时电感值会影响到电感电流的纹波,电感的选取可根据下式公式:
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式中:d4z嘉泰姆
Vin 是输入电压;d4z嘉泰姆
Vout 是输出电压;d4z嘉泰姆
Vdiode 是同步整流 MOS 管导通压差;d4z嘉泰姆
Fs 是 PWM 工作频率;
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建议使用铁硅铝磁环电感,感值33μH,纹波电流控制在最大输出电流的30%以内。d4z嘉泰姆


八、PCB设计与布局建议

1.采用双层PCB布局,Top层为主功率路径,Bottom层为控制信号与反馈网络。d4z嘉泰姆

1.1.元器件位图d4z嘉泰姆
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1.2.PCB 走线图d4z嘉泰姆
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2.功率路径尽量短而宽,减少寄生电感和电阻。d4z嘉泰姆

3.反馈网络远离高频开关节点,避免噪声干扰。d4z嘉泰姆


九、方案原理图及工作原理描述


十.CXSU63305-24V10A BOM 表


九、结语

             CXSU63305同步整流升压方案以高效率、高可靠性和紧凑的设计,成为12V转24V/10A应用的理想选择。其广泛的适用性和灵活的配置选项,可满足工业、通信、消费电子等多领域的需求。通过合理的元器件选型和PCB设计,可进一步优化系统性能,提升整体电源转换效率d4z嘉泰姆

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