CXLE82113高端悬浮自举电源设计耐压300V三路独立半桥驱动5V、3.3V输入电压低端VCC电压4.5V-20V输出电流IO +1.2A/-1.4A内建死区控制电路

CXLE82113是一款高性价比的大功率MOS 、IGBT栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
CXLE82113高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO +1.2A/-1.4A，
高端悬浮自举电源设计，耐压可达300V
集成三路独立半桥驱动
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持 500KHZ
低端VCC电压范围 4.5V-20V
输出电流能力IO +1.2A/-1.4A
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端 HO输出
LIN输入通道高低平有效，控制低端 LO 输出

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

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       CXLE82113是一款高性价比的大功率MOS 、IGBT栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 
  CXLE82113高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO +1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

   产品特点 返回TOP

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  高端悬浮自举电源设计，耐压可达300V

集成三路独立半桥驱动

适应5V、3.3V输入电压

最高频率支持 500KHZ

低端VCC电压范围 4.5V-20V

输出电流能力IO +1.2A/-1.4A

内建死区控制电路

自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

HIN输入通道高电平有效，控制高端 HO输出

LIN输入通道高低平有效，控制低端 LO 输出

封装形式：TSSOP20

   应用范围 返回TOP

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 三相直流无刷电机驱动器

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MOSFET驱动芯片
型号	工作型号	电流	封装	说明
CXLE82104	3V～30V	1A	SOP-8	单通道MOS驱动
CXLE82105	8V～30V		SOP-8	半桥驱动芯片
CXLE82106	3V~30V	1A	SOP-8	单通道功率MOSFET驱动芯片
CXLE82107	11V～30V		SOP8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片
CXLE82108	11V～30V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82109	10V-15V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82110	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82111	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82112	5V 3.3V	0.2A/-0.35A	SOP28L	三相半桥电路驱动芯片
CXLE82113	4.5V-20V	1.2A/-1.4A	TSSOP20	三相半桥驱动芯片
CXLE82114	2.8V-20V	1.8A/-1.8A	SOP28L	两相半桥驱动芯片