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低导通电阻高可靠性驱动要求简单N沟道增强型场效应管CXCN5318 CXCN5319
| 产品型号： | CXCN5318 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 40 次 |
产品简介
低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单 N沟道增强型场效应管CXCN5318 CXCN5319
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ 20V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 0.65AA |
| 封装类型 | SOT-523 |
| Channel type | N沟道MOSFETs |
| Rated voltage | Vgss(V):±12 |
| Rated current | Idm(A):2.5 |
| Power dissipation | Is(A):0.3 |
| Application | MOSFET |
产品详细介绍
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
|
VDSS |
ID |
RDS(ON)(mΩ)TYP |
|
20V |
0.65A |
260 @ VGS= 4.5V |
|
0.55A |
320 @ VGS= 2.5V |
二.产品特点(Features)
低导通电阻
高可靠性
驱动要求简单
三,应用范围 (Applications)
四.技术规格书下载（产品PDF）
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图
七,功能概述
Vdss=20V
Vgss=±12V
Id=0.65A
Idm=1A
Is=0.3A
封装形式:SOT-23-3B
八,相关芯片选择指南
|
产品名称 |
Vdss(V) |
Vgss(V) |
Id(A) |
Idm(A) |
Is(A) |
封装形式 |
|
20 |
±12 |
0.65 |
2.5 |
0.3 |
SOT-523 |
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20 |
±12 |
0.65 |
1 |
0.3 |
SOT-23-3 |
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20 |
±12 |
1.3 |
2 |
0.6 |
SOT-23-3 |
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20 |
±8 |
3.6 |
12 |
1.25 |
SOT-23-3 |
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20 |
±8 |
3.6 |
12 |
1.25 |
SOT-23-3 |
用户评论