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CXCN5323采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)适合用于电池保护或作为开关的应用较高的功率和电流处理能力
| 产品型号： | CXCN5323 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 42 次 |
产品简介
CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ 20V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 45 毫欧V |
| 输出电流 (IOUT) | 2.9A A |
| 封装类型 | SOT23-3 |
| Channel type | N沟道MOSFETs |
| Rated voltage | 最大漏源电压20V |
| Rated current | 2.9A |
| On resistance | 45 毫欧 |
产品详细介绍
目录
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产品概述 返回TOP
CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。
产品特点 返回TOP
VDS = 20V,ID = 2.9A RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
较高的功率和电流处理能力
3 管脚 SOT23 封装
产品无铅，满足 rohs，不含卤素
应用范围 返回TOP
电池保护
负载开关
电源管理
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电路原理图 返回TOP
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|
型号 |
最大漏源电压 |
栅极阈值电压 |
最大导通电流 |
导通阻抗 |
封装 |
|
20V |
0.85V |
2.9A |
45 毫欧 |
SOT23-3 |
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