中文
English
CXCP5362 P沟道增强型场效应管低导通电阻高可靠性驱动要求简单
| 产品型号： | CXCP5362 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | P沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 40 次 |
产品简介
CXCP5362 P沟道增强型场效应管,低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ VDS(Max):-30V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | -30A |
| 封装类型 | SOT-23-3 |
| Channel type | P沟道 |
| Rated voltage | VGS(Max):±20 |
| Rated current | ID (Max):-4.4 |
| On resistance | 6.0mΩ |
| Power dissipation | Is(A):-1 |
产品详细介绍
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
|
VDSS |
ID |
RDS(ON)(mΩ)TYP |
|
-30V |
-4.4A |
52 @ VGS=-10V |
|
65 @ VGS=-4.5V |
二.产品特点(Features)
低导通电阻
高可靠性
驱动要求简单
三,应用范围 (Applications)
四.技术规格书下载（产品PDF）
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图
七,功能概述
|
参数 |
符号 |
极限值 |
单位 |
|
最大漏源电压 |
VDS |
-30 |
V |
|
最大栅源电压 |
VGS |
±20 |
V |
|
结温 125℃下，最大漏极电流 |
ID |
-4.4 |
A |
|
最大漏极脉冲电流 |
IDM |
-30 |
A |
|
最大消散功耗 |
PD |
1.25 |
W |
|
工作温度范围 |
Tj |
-55—150 |
℃ |
八,相关芯片选择指南
|
产品名称 |
Vdss(V) |
Vgss(V) |
Id(A) |
Idm(A) |
Is(A) |
封装形式 |
|
-30 |
±20 |
-4.4 |
-30 |
-1 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-1.1 |
-2.4 |
-0.26 |
SOT-523 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-2.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-1.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-3.6 |
-11 |
-1.25 |
SOT-23-3 |
用户评论