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CXNP5419 CXNP5419硅外延NPN晶体管高频4GHz低噪声高频放大工作频率 900 MHz
| 产品型号： | CXNP5419 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道P沟道双极MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 52 次 |
产品简介
CXNP5419 CXNP5419硅外延NPN晶体管高频4GHz低噪声高频放大工作频率 900 MHz
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ 12VV |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 50mAA |
| 封装类型 | SOT23 |
| Channel type | N沟道P沟道双极MOSFETs |
| Rated voltage | BVCEO(Max):12V |
| Rated current | IC (Max):LNA |
| Gate charge | Ft(Typical):3.0GHz |
产品详细介绍
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）
一.产品概述
硅外延 NPN 晶体管 高频，f T典型值 4GHz 低噪声
二.产品特点
应用条件
|
参数 |
符号 |
最大值 |
单位 |
|
BC 结击穿电压 |
VCBO |
20 |
V |
|
EC 结击穿电压 |
VCEO |
12 |
V |
|
EB 结击穿电压 |
VEBO |
3 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
50 |
mA |
|
功耗 |
PC |
0.2 |
W |
|
结温 |
Tj |
150 |
℃ |
|
保存温度 |
Tstg |
-55-+150 |
℃ |
电学特性 (T=25℃)
|
参数 |
符号 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
测试条件 |
|
BC 结击穿电压 |
BVCBO |
20 |
V |
IC=10μA |
||
|
EC 击穿电压 |
BVCEO |
12 |
V |
IC=1mA |
||
|
EB 结击穿电压 |
BVEBO |
3 |
V |
IE=10μA |
||
|
BC 结漏电流 |
ICBO |
0.5 |
μA |
Vcb=10V |
||
|
EB 结漏电流 |
IEBO |
0.5 |
μA |
Veb=2V |
||
|
CE 饱和电压 |
VCE (SAT) |
0.5 |
V |
Ic/Ib = 10m A / 5m A |
||
|
电流增益 |
hFE |
56 |
70 |
180 |
VCE/IC=5V/5mA |
|
|
频率 |
fT |
1.4 |
4 |
GHz |
VCE=10V, IC=10mA |
|
|
输出电容 |
Cob |
0.8 |
1.5 |
pF |
Vcb=10V,Ie=0A, f= 1MHz |
|
|
噪声因子 |
NF |
3.5 |
db |
Vce=8V, Ic=2m A, f=500MHz Rg=50Ω |
三.应用范围
高频放大，工作频率 900 MHz
四.技术规格书（产品PDF)
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五.产品封装图
六.电路原理图
七.相关芯片选择指南
| 高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor) | ||||||
| Part No. | Polarity | VCEO(Max.) | IC(Max.) | Ft(Typical) | Package | Application |
| CXNP5419 | NPN | 12V | 50mA | 3.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5419B | NPN | 12V | 80mA | 4.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420 | NPN | 12V | 100mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420B | NPN | 12V | 200mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
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