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CXMS5203是N通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于低电压应用蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路

产品型号：	CXMS5203
产品类型：	MOSFET
产品系列：	N沟道MOSFETs
产品状态：	量产
浏览次数：	35 次

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产品简介

CXMS5203是N通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。这些设备特别适合于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低串联功耗。

技术参数

输入电压范围 (VIN)	V ~ VDS(Max):MOSFETV
输出电压 (VOUT)	VTH(Typ):V
Channel type	N沟道
Rated voltage	VGS(Max):
Rated current	ID (Max):
Power dissipation	Channel:1

产品详细介绍

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装 6.电路原理图 7.相关产品

一.产品概述

The CXMS5203 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other batter powered circuits, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

二.产品特点

z 20V/6.0A, RDS(ON) = 27mΩ (Typ.) @VGS = 10V

z 20V/5.0A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 4.5V

z 20V/4.5A, RDS(ON) = 34mΩ @VGS = 2.5V

z 20V/4.0A, RDS(ON) = 40mΩ @VGS = 1.8V

z Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

z Exceptional on-resistance and Maximum DC current capability

z SOT-23-3L package design

三.应用范围

四.技术规格书（产品PDF)

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！