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CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻特别适合低电压超低导通电阻高密度电池设计
| 产品型号： | CXMS5211 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | P沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 53 次 |
产品简介
l-30V/-6A RDS（开）=52mΩ@VGS=-10V，ID=-6A RDS（开）=67mΩ@VGS=-4.5V，ID=-4A
超低导通电阻高密度电池设计
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ VDS(Max):-30VV |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | -20VV |
| 输出电流 (IOUT) | -6AA |
| 封装类型 | SOP8 |
| Channel type | Double P |
| Rated voltage | VGS(Max):-20V |
| Rated current | ID (Max):-6A |
| On resistance | 53mΩ |
产品详细介绍
目录
产品概述 返回TOP
CXMS5219SG CXMS5211 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage .
产品特点 返回TOP
l -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
l Surface mount package:SOP8
应用范围 返回TOP
l Power management
l Load switch
l Battery protection
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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
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Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
|
Number |
|||||||
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P channel |
-20V |
-8V |
-2.8A |
93mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
P channel |
-20V |
-12V |
-3.1A |
77mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23 |
|
|
P channel |
-30V |
-12V |
-4.2A |
55mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
P channel |
-30V |
-20V |
-2.9A |
92mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
P channel |
-30V |
-20V |
-4.1A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
P channel |
-30V |
-20V |
-6A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑨ |
SOP8/SOT89-3 |
|
|
Double P |
-30V |
-20V |
-6A |
53mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
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|
Double P |
-30V |
-20V |
-6A |
46mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
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Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
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用户评论