CXMS5216P沟道增强型场效应晶体管高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合低压应用低功耗超低导通电阻高密度电池设计

CXMS5216P沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种器件特别适合低压应用，低功耗，低功耗，在一个非常小的外形表面安装封装功耗。
超低导通电阻高密度电池设计
-30V/-4.1A RDS(ON)＜88mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.1A
RDS(ON)＜108mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A

目录

1.产品概述    2.产品特点     

3.应用范围    4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装    6.电路原理图  

     7.相关产品

产品概述                                             返回TOP

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CXMS5216 Series P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation, and low power dissipation in a very small outline surface mount package.

产品特点  返回TOP

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l -30V/-4.1A RDS(ON)＜88mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.1A 

   RDS(ON)＜108mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A 

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 

l Subminiature surface mount package: SOT23

应用范围                                             返回TOP

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l Power management 

l Load switch 

l Battery protection

技术规格书（产品PDF)                           返回TOP 

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产品封装图                                               返回TOP

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电路原理图                                               返回TOP

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略

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)
Part	Mode	VDS(Max)	VGS	ID(Max)	RDS(on)	Application	Package
Number
CXMS5214	P channel	-20V	-8V	-2.8A	93mΩ	①②③④⑤	SOT23/SOT23-3
CXMS5214-N	P channel	-20V	-12V	-3.1A	77mΩ	①②③④⑤	SOT23
CXMS5215	P channel	-30V	-12V	-4.2A	55mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5215-N	P channel	-30V	-20V	-2.9A	92mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5216	P channel	-30V	-20V	-4.1A	46mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5217	P channel	-30V	-20V	-6A	46mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑨	SOP8/SOT89-3
CXMS5218	Double P	-30V	-20V	-6A	53mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOP8
CXMS5219	Double P	-30V	-20V	-6A	46mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOP8
Applications： ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection