CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。

CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低电压应用和低功耗。
20V/6A
RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A

目录

• 1.产品概述       2.产品特点     

• 3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

• 5.产品封装       6.电路原理图  

• 7.相关产品

   产品概述 返回TOP

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CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

   产品特点 返回TOP

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z 20V/6A 

RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A 

RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A 

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 

z Surface mount package：SOP8 z ESD Protected: 3000 V

   应用范围 返回TOP

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z Battery management 

z power management 

z Portable equipment 

z Low power DC to DC converter. 

z Load switch z LCD adapter

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 

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产品封装图 返回TOP

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电路原理图 返回TOP

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)
Part Number	Mode	VDS(Max)	VGS	ID(Max)	RDS(on)	Application	Package
CXMS5213	N channel	20V	12V	5.2A	37mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5220	N channel	20V	8V	3A	22mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5220-N	N channel	20V	12V	5.2A	29mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5221	Double N	20V	12V	6A	22mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOP8
CXMS5222	N channel	30V	12V	5.8A	25mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5222-N	N channel	30V	20V	4.4A	35mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5223	Double N	20V	12V	6A	21mΩ	①②③④⑤	SOT23-6/ TSSOP8
CXMS5224	Double N	20V	12V	5A	19mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	TSSOP8/SOT26
Applications： ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection