您好，游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置：首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道MOSFETs > CXCN5323采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)适合用于电池保护或作为开关的应用较高的功率和电流处理能力 > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论：CXCN5323采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)适合用于电池保护或作为开关的应用较高的功率和电流处理能力
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。
 
回复  支持[4]  反对[5]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表
Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.