您好,游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置:首页 > 产品中心 > 功率器件 > P沟道MOSFETs > CXCP5394A12A6PRP沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速切换是可能的有效地设置集成电路内置栅极保护二极管防止静电损坏 > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论:CXCP5394A12A6PRP沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速切换是可能的有效地设置集成电路内置栅极保护二极管防止静电损坏


 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分,共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXCP5394A12A6PR是一种P沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置集成电路,从而节省能源。内置栅极保护二极管,防止静电损坏
 
回复  支持[4反对[5]

   

网友评论仅供网友表达个人看法,并不表明本站同意其观点或证实其描述   

   我也评两句 用户名: 密码: 验证码:           还没有注册?
匿名发表

Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.