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评论：CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是P沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速开关是可能的有效地设置集成电路内置了栅极保护二极管。
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是一种P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性，由于高速开关是可能的，因此可以有效地设置集成电路，从而节省能源。为了抗静电，内置了栅极保护二极管。
 
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