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评论：CXMS5164单P沟道-20V，-3.6A功率MOSFET是P沟道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟道技术和设计提供低栅极的优秀RDS（ON）
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
The CXMS5164 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product CXMS5164 is Pb-free. z Trench Technology z Supper high density cell design z Excellent ON resistance for higher DC current z Extremely Low Threshold Voltage
 
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