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评论：CXMS5165单P沟道-20V，-3.6A功率MOSFET P沟道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
单P沟道，-20V，-3.6A，功率MOSFET CXMS5164是P沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟道技术和设计，提供低栅极的优秀RDS（ON） CXMS5165是P沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CXMS5165不含铅和卤素  Trench Technology  Supper high density cell design  Excellent ON resistance for higher DC current  Extremely Low Threshold Voltage
 
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