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CXMS5181沟槽技术超高密度电池设计对更高直流电流具有优异的导通电阻极低阈值电压是P沟道增强MOS场效应晶体管采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于DC-DC转换电源开关和充电电路
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