您好，游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置：首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs > The CXPP5449CS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs can be used in a wide variety of applications > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论：The CXPP5449CS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs can be used in a wide variety of applications
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
The CXPP5449CS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs can be used in a wide variety of applications  N-Channel VDS =30V, ID =3.5A RDS(ON) < 58mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=4.5V  P-Channel VDS =-30V, ID = -2.7A RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 150mΩ @ VGS=-4.5V  High power and current handing capability
 
回复  支持[3]  反对[3]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表
Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.