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CXMS5132超高密度电池设计极低阈值电压是N沟道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS ON适用于DC-DC变换负载切换和电平变换
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本站网友 oumao18
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2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5132是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC变换、负载切换和电平变换。标准产品CXMS5132不含铅。超高密度电池设计电阻优良极低阈值电压
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