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评论：CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗。
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低电压应用和低功耗。 20V/6A RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
 
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