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评论：CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应 用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 ● -30V/-4A RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A ● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
 
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