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2025-05-21 09:29:42 发表 |
| CXMS5102B是一种基于P_SUB P_EPI 工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT，采用半桥结构，工作电压高达600v。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V
3.3V逻辑兼容
dV/dt抗扰度±50v/nsec
为引导操作设计的浮动通道
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
低压侧通道的紫外低辐射
输出源/汇电流能力300毫安
-5V负极Vs能力
两个信道的匹配传播延迟 |
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