网友评论

我也评两句

评论:CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V

查看原文

 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分,共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。 完全工作至+600 V 3.3V逻辑兼容 dV/dt抗扰度±50v/nsec 为引导操作设计的浮动通道 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 低压侧通道输出源/汇电流能力为300毫安/600毫安的紫外低辐射 独立的逻辑输入以适应所有拓扑 -5V负极Vs能力
 
回复  支持[0反对[0]

   

网友评论仅供网友表达个人看法,并不表明本站同意其观点或证实其描述   

   我也评两句 用户名: 密码: 验证码:           还没有注册?
匿名发表