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评论:CXMD3263 CXMD3264高电压高速功率MOSFET和IGBT的半桥预分频器高侧和低侧的输入两个避免内部死区时间的输出通道交叉传导浮动高边沟道可以驱动高达600伏的N沟道功率MOSFET或IGBT

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