网友评论
我也评两句
评论:
CXMD3263 CXMD3264高电压高速功率MOSFET和IGBT的半桥预分频器高侧和低侧的输入两个避免内部死区时间的输出通道交叉传导浮动高边沟道可以驱动高达600伏的N沟道功率MOSFET或IGBT
查看原文
评分:
1分
2分
3分
4分
5分
平均得分:
0
分,共有
人参与评分
网友评论
网友评论仅供网友表达个人看法,并不表明本站同意其观点或证实其描述
我也评两句
用户名:
密码:
验证码:
还没有注册?
匿名发表