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CX15N10是N通道增强型功率效应晶体管采用高单元密度的先进沟道技术制造高密度工艺特别适合于降低状态电阻适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器
| 产品型号： | CX15N10 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 45 次 |
产品简介
CX15N10是一种N通道增强型功率效应晶体管，采用高单元密度的先进沟道技术制造，这种高密度工艺特别适合于降低状态电阻，特别适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ VDS(Max):MOSFETV |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | VTH(Typ):V |
| Channel type | N沟道 |
| Rated voltage | VGS(Max): |
| Rated current | ID (Max): |
| Power dissipation | Channel:1 |
产品详细介绍
目录
产品概述 返回TOP
The CX15N10 is N channel enhancement mode power effect transitor which is produced using high cell density advanced trench technology.The high density process is especially able to minize on-state resistance.These devices are.especially suited for low voltage application power management DC-DC converters.
产品特点 返回TOP
100V/15 A, RDS(ON)=80.0mΩ (typ.)@VGS= 10V
100V/8A,RDS(ON)=115m Ω(typ.)@VGS= 4.5V
Super high design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and Maximum DC current capability
Full RoHS compliance
SOP8 andTO252 package design
100% UIS Tested
100% Rg tested
应用范围 返回TOP
Power Management
DC/DC Converter
Load Switch
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
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产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
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| MOSFET | |
| 型号 | 说明 |
| CXMS5202 | 2A N MOS |
| CXMS5203 | 4A/ 20V NMOS |
| CXMS5206 | 30V/4A NMOS |
| CX15N10 | 15A-100V NMOS |
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