CXMS5213 N沟道增强型功率场效应管（MOSFET）采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺特别适用于减小导通电阻移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路

CXMS5213系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）

目录

1.产品概述    2.产品特点     

3.应用范围    4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装    6.电路原理图  

     7.相关产品

产品概述                                             返回TOP

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CXMS5213XG系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

产品特点  返回TOP

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z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)       

   =36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A 

z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)） 

z 超小封装：SOT23

应用范围                                             返回TOP

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z 电池电源管理 

z 高速开关 

z 低功率 DC DC 转换

技术规格书（产品PDF)                         返回TOP 

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产品封装图                                               返回TOP

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电路原理图                                               返回TOP

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略

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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)
Part Number	Mode	VDS(Max)	VGS	ID(Max)	RDS(on)	Application	Package
CXMS5213	N channel	20V	12V	5.2A	37mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5220	N channel	20V	8V	3A	22mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5220-N	N channel	20V	12V	5.2A	29mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5221	Double N	20V	12V	6A	22mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOP8
CXMS5222	N channel	30V	12V	5.8A	25mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23/SOT23-3
CXMS5222-N	N channel	30V	20V	4.4A	35mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	SOT23
CXMS5223	Double N	20V	12V	6A	21mΩ	①②③④⑤	SOT23-6/ TSSOP8
CXMS5224	Double N	20V	12V	5A	19mΩ	①②③④⑤⑥⑦⑧	TSSOP8/SOT26
Applications： ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection