CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合低压应用在外形表面安装包中有低功耗超低导通电阻高密度电池设计

目录

• 1.产品概述       2.产品特点     

• 3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

• 5.产品封装       6.电路原理图  

• 7.相关产品

   产品概述 返回TOP

CXMS5222M3G Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package.

   产品特点 返回TOP

 30V/5.8A 

RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A 

RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A 

RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A 

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 

 Subminiature surface mount package:SOT23-3L

   应用范围 返回TOP

 Battery management 

 High speed switch 

 Low power DC to DC converter

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 

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产品封装图 返回TOP

电路原理图 返回TOP

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