30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术

CXMS5252
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺

目录

• 1.产品概述       2.产品特点     

• 3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

• 5.产品封装       6.电路原理图  

• 7.相关产品

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VDS= -20V 

RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP

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 先进的沟道工艺技术 

 高密度超低电阻设计 

 改良的成形工艺

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LED屏驱动等

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