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CX10HN60高压超结MOSFET产品高压超结MOSFET产品超低功耗超低栅电荷量超低输出电容用于计算机主板电源服务器/通信领域适配器液晶和等离子平板电视照明UPS以及工业电源应用领域
| 产品型号： | CX10HN60 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品系列： | N沟道MOSFETs |
| 产品状态： | 量产 |
| 浏览次数： | 45 次 |
产品简介
CX10HN60NeoFET基于先进的深槽填充工艺，是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较，本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制，NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源，服务器/通信领域，适配器，液晶和等离子平板电视，照明，UPS以及工业电源应用领域
● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V，ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性
● 超低功耗，超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试
● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V，ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性
● 超低功耗，超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ 0~600VV |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 0.34ΩV |
| 输出电流 (IOUT) | 0~30AA |
| 封装类型 | TO220/220FP |
| Channel type | N沟道MOSFETs |
| Rated voltage | 栅-源电压::±30V |
| Rated current | 漏极直流电流:0~10A |
| On resistance | .34 |
| Power dissipation | 单脉冲雪崩击穿能量:200mJ |
产品详细介绍
目录
产品概述 返回TOP
NeoFET基于先进的深槽填充工艺，是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较，本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制，NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源，服务器/通信领域，适配器，液晶和等离子平板电视，照明，UPS以及工业电源应用领域
产品特点 返回TOP
● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V，ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性
● 超低功耗，超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试
● 符合JEDEC无铅标准
应用范围 返回TOP
● 计算机主板电源
● 适配器
● 液晶和等离子平板电视
● 照明
● 通信，服务器
● UPS
● 开关电源应用
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
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产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
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| N沟道超结MOS | ||||||||
| Product | Character | Darin to Source Voltage | Continuous Drain Current | Drain Current Pulsed | Gate to Source Voltage | RDS(ON) Typ.(Ω) | Single Pulsed Avalanche Energy | Package |
| CX4HN60 | N-Channel Superjunction MOSFET | 0~600V | 0~4.5A | 0~13A | ±30V | 0.85 | 130mJ | TO251/252 |
| CX10HN60 | N-Channel Superjunction MOSFET | 0~600V | 0~10A | 0~30A | ±30V | 0.34 | 200mJ | TO220/220FP |
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