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CXPR7133通过SEL0 SEL1管脚切换3节4节5节串联应用高精度电压检测延时电路断线检测0V充电功能
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CXPR7133系列芯片内置高精度电压检测电路和延时电路 (过充电/过放电保护以及充放电过流 1/2 保护),保护电池安全。同时,CXPR7133 系列芯片具备充放电高低温温度保护功能和充电平衡功能,延长电池寿命。此外,CXPR7133 系列芯 片还拥有断线检测功能和 0V 充电功能 4,提升系统安全性能。单颗CXPR7133芯片适用于保护3节,4节或者5节串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组),级联的CXPR7133芯片 组合能够保护超过5节5串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组)。

CXPR7133通过SEL0 SEL1管脚切换3节4节5节串联应用高精度电压检测延时电路断线检测0V充电功能
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产品简介

目录5N9嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点5N9嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 5N9嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   5N9嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品5N9嘉泰姆

一,产品概述(General Description)    5N9嘉泰姆


      CXPR7133 系列芯片内置高精度电压检测电路和延时电路 (过充电/过放电保护以及充放电过流 1/2 保护),保护电池安全。同时,CXPR7133 系列芯片具备充放电高低温温度保护功能和充电平功能,延长电池寿命。此外,CXPR7133 系列芯 片还拥有断线检测功能和 0V 充电功能 4,提升系统安全性能。单颗CXPR7133芯片适用于保护3节,4节或者5节串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组),级联的CXPR7133芯片 组合能够保护超过5节5串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组)。5N9嘉泰姆
二.产品特点(Features)5N9嘉泰姆


通过SEL0/SEL1管脚切换3/4/5节串联应用5N9嘉泰姆
高精度电压检测功能:(针对单节电芯)5N9嘉泰姆
- 过充电保护阈值电压:3.3V - 4.5V (50mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±25mV5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±50mV5N9嘉泰姆
- 过放电保护阈值电压:1.8V - 3.0V (100mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±50mV5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±100Mv5N9嘉泰姆
两段放电过流检测功能:5N9嘉泰姆
- 放电过流1保护阈值电压:0.05V - 0.3V (50mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±15mV5N9嘉泰姆
- 放电过流2保护阈值电压:0.2V - 1.0V (100mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±100mV5N9嘉泰姆
 两段充电过流检测功能:5N9嘉泰姆
- 充电过流1保护阈值电压:0.05V - 0.3V (50mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±15mV5N9嘉泰姆
- 充电过流2保护阈值电压:0.1V - 0.5V (100mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±40mV5N9嘉泰姆
充放电温度保护功能:5N9嘉泰姆
- 充电低温保护阈值温度:-20°C,-10°C,0°C5N9嘉泰姆
阈值温度精度:±2°C (典型值)5N9嘉泰姆
- 充放电高温保护阈值温度:50°C,60°C,70°C5N9嘉泰姆
阈值温度精度:±2°C (典型值)5N9嘉泰姆
- 平衡开启阈值电压:3.1V - 4.4V (50mV一档)5N9嘉泰姆
阈值电压精度:±25mV5N9嘉泰姆
断线检测功能5N9嘉泰姆
外接电容可设置过充电保护延时,过放电保护延时,放电5N9嘉泰姆
过流1保护延时以及充电过流1保护延时5N9嘉泰姆
充/放电过流2保护延时以及温度保护延时内部固定5N9嘉泰姆
CTLC/CTLD管脚可优先控制CHG/DSG管脚输出5N9嘉泰姆
宽工作电压范围:3V - 26V5N9嘉泰姆
宽工作温度范围:-40°C~85°C5N9嘉泰姆
可级联使用5N9嘉泰姆
功耗5N9嘉泰姆
- 正常工作消耗电流:25μA (典型值)5N9嘉泰姆
- 低功耗模式消耗电流:4uA (典型值)5N9嘉泰姆
封装形式: 24-pin TSSOP5N9嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)5N9嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档5N9嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持5N9嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg5N9嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)5N9嘉泰姆
blob.pngblob.png5N9嘉泰姆

六.电路原理图5N9嘉泰姆


blob.png5N9嘉泰姆
七,功能概述5N9嘉泰姆
1. 正常工作状态5N9嘉泰姆
下列条件均满足时,CXPR7133 处于正常工作状态:5N9嘉泰姆
(1) 所有电芯电压均在过充电保护阈值电压 (VCV) 和过放电保护阈值电压 (VDV) 之间5N9嘉泰姆
(2) SENS 管脚上电压高于充电过流 1 保护阈值电压 (VCC1) 和充电过流 2 保护阈值电压 (VCC2),同时低于放电过流 1 保5N9嘉泰姆
护阈值电压 (VDC1) 和放电过流 2 保护阈值电压 (VDC2)5N9嘉泰姆
(3) 系统温度位于高温保护阈值温度(TH)和低温保护阈值温度(TL)之间5N9嘉泰姆
(4) 无平衡发生5N9嘉泰姆
(5) 充放电 MOS 管处于开启状态5N9嘉泰姆
2. 过充电状态5N9嘉泰姆
当任意节电芯电压超过过充电检测电压 (VCV),且此状态持续时间超过过充电检测延时 (tCD),CXPR7133 系列芯片的5N9嘉泰姆
CHG 管脚输出高阻抗,此时 CHG 管脚会被外部电阻下拉到 PACK-从而关闭充电 MOS 管。上述状态被称之为过充电状态。CXPR7133 作为主控芯片使用时,下述任意条件满足时,过充电状态被解除:5N9嘉泰姆
(1) 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚电压小于 VCHSE-M (未连接负载放电),同时触发过充电保护的电芯电压小于过充电恢复5N9嘉泰姆
电压 (VCRV)5N9嘉泰姆
(2) 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚电压大于 VCHSE-M (连接负载放电),同时所有电芯电压小于过充电检测电压 (VCV);CXPR7133 作为辅控芯片使用时,下述任意条件满足时,过充电状态被解除:5N9嘉泰姆
a. 触发过充电保护的电芯电压小于过充电恢复电压 (VCRV)5N9嘉泰姆
b. 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚输入为低电平 (连接负载放电),同时所有电芯电压小于过充电检测电压 (VCV)5N9嘉泰姆
3. 过放电状态5N9嘉泰姆
当任意节电芯电压小于过放电检测电压 (VDV),且此状态持续时间超过过放电检测延时 (tDD),CXPR7133 系列芯片的5N9嘉泰姆
DSG 管脚输出 GND 电平从而关闭放电 MOS 管。上述状态被称之为过放电状态。CXPR7133作为主控芯片使用时,下述任意条件满足时,过放电状态被解除 (系统未进入低功耗状态):5N9嘉泰姆
(1) CXPR7133 的 CHSE 管脚电压高于 GND (未连接充电器充电),同时触发过放电保护的电芯电压高于过放电恢复电5N9嘉泰姆
压 (VDRV)5N9嘉泰姆
(2) CXPR7133 的 CHSE 管脚电压小于 GND 且 CHG 管脚输出高电平 (连接充电器充电,且有充电电流),同时所有电芯5N9嘉泰姆
电压高于过放电检测电压(VDV);CXPR7133 作为辅控芯片使用时,下述任意条件满足时,过放电状态被解除 (系统未进入低功耗状态):5N9嘉泰姆
(1) 触发过放电保护的电芯电压大于过放电恢复电压 (VDRV)5N9嘉泰姆
(2) 当CXPR7133的BALI管脚输入为低电平 (连接充电器充电,且有充电电流),同时所有电芯电压高于过放电检测电压5N9嘉泰姆
(VDV)5N9嘉泰姆
4. 低功耗状态 (可选)CXPR7133 作为主控芯片使用时,当系统进入过放电保护状态后,CXPR7133 的 VM 管脚会被内部电阻 RVMD 上拉至 VDD 电5N9嘉泰姆
平。在上述情况下,若过放电保护状态持续时间超过 tPD,且 VM 管脚以及 CHSE 管脚电平高于 VDD/5 电平,CXPR7133系列芯片将关闭绝大部分内部电路,从而使自身功耗减小至 IPD。上述状态被称之为低功耗状态。主控芯片进入低功耗状态5N9嘉泰姆
后,CHG管脚输出高阻抗,DSG 管脚输出 GND 电平。CXPR7133 作为辅控芯片使用时,当系统进入过放电保护状态后,若过放电保护状态持续时间超过 tPD 且 CXPR7133 的5N9嘉泰姆
BALI 管脚为高电平,CXPR7133 系列芯片将关闭绝大部分内部电路,从而使自身功耗减小至 IPD。上述状态被称之为低功耗5N9嘉泰姆
状态。辅控芯片进入低功耗状态 6 后,CHG 管脚输出 VDD 电平,DSG 管脚输出 GND 电平。CXPR7133 作为主控芯片时,下述任意条件满足时低功耗状态被解除:5N9嘉泰姆
(1) VM 管脚电平小于 VDD/55N9嘉泰姆
(2) CHSE 管脚电平小于 VDD/5CXPR7133 作为辅控芯片时,满足下述条件时低功耗状态被解除: (1) BALI 管脚输入电平为低电平 注释5N9嘉泰姆

6:CXPR7133作为辅控芯片使用时,芯片关闭充电MOSFET的安全保护状态禁止该芯片进入低功耗模式。5N9嘉泰姆
5. 放电过流保护状态5N9嘉泰姆
当系统放电电流超过一定值,亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平超过放电过流 1 保护阈值电压 VDC1,且此状态持续时5N9嘉泰姆
间超过放电过流 1 保护延时 tID1,CXPR7133 系列芯片 DSG 管脚输出 GND 电平从而关闭放电通路。上述状态被称之为放电5N9嘉泰姆
过流 1 保护状态。在放电过流 1 保护状态中,CXPR7133 系列芯片的 CHG 管脚输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通5N9嘉泰姆
路,同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMS 下拉至 GND 电平。CXPR7133 作为辅控芯片时,不具备放电过流保护功能。CXPR7133 系列芯片具备两级放电过流保护,放电过流 2 保护的动作与放电过流 1 保护一致。5N9嘉泰姆
当下述条件满足时,放电过流保护状态将被解除:5N9嘉泰姆
(1) CXPR7133系列芯片VM管脚电平低于VDD/10 (负载拔除)5N9嘉泰姆
6. 充电过流保护状态5N9嘉泰姆
当系统充电电流超过一定值,亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平小于充电过电流 1 保护阈值电压 VCC1,且此状态持续5N9嘉泰姆
时间超过充电过流 1 保护延时 tIC1 后,CXPR7133 系列芯片 CHG 管脚会输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通路。上5N9嘉泰姆
述状态被称之为充电过流 1 保护状态。在充电过流 1 保护状态中,CXPR7133 系列芯片 DSG 管脚会输出 GND 电平从而关5N9嘉泰姆
闭放电通路,同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMD 上拉至 VDD 电平。CXPR7133 作为辅控芯片时,不具备充电过流保护功能。CXPR7133 系列芯片具备两级充电过流保护,充电过流 2 保护的动作与充电过流 1 保护一致。5N9嘉泰姆
当下述条件满足时,充电过流保护状态将被解除:5N9嘉泰姆
(1) CXPR7133系列芯片CHSE管脚电平高于VCHSE-M (充电器拔除)5N9嘉泰姆
7. 0V充电功能 (可选)CXPR7133 系列芯片可选择是否使能 0V 充电功能 7,具体描述如下:5N9嘉泰姆
(1) 使能 0V 充电功能:当电池组总电压很低 (不小于 1V),使用电压高于 V0CHA (0V 充电允许电压) 的充电器可向电池包5N9嘉泰姆
充电,依据充电 MOS 管开启电压不同,实际需要的充电器电压会有不同5N9嘉泰姆
(2) 禁止 0V 充电功能:当任意节电芯电压低于充电禁止电压 V0INH,不允许向电芯充电5N9嘉泰姆
注释7:级联使用时,CXPR7133不能保证 0V允许充电功能。5N9嘉泰姆
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