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CXMS5210 CXMS5218双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低压应用和低功耗
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CXMS5210 CXMS5218系列双P沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低压应用和低功耗

CXMS5210 CXMS5218双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低压应用和低功耗
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   产品概述 返回TOPaIh嘉泰姆


CXMS5218SG CXMS5210 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation .

   产品特点 返回TOPaIh嘉泰姆


z -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A aIh嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance aIh嘉泰姆

z Surface mount package:SOP8aIh嘉泰姆

   应用范围 返回TOPaIh嘉泰姆


z Power management aIh嘉泰姆

z Load switch aIh嘉泰姆

z Battery protectionaIh嘉泰姆

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     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持aIh嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgaIh嘉泰姆

产品封装图 返回TOPaIh嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPaIh嘉泰姆


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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)aIh嘉泰姆

PartaIh嘉泰姆

ModeaIh嘉泰姆

VDS(Max)aIh嘉泰姆

VGSaIh嘉泰姆

ID(Max)aIh嘉泰姆

RDS(on)aIh嘉泰姆

ApplicationaIh嘉泰姆

PackageaIh嘉泰姆

NumberaIh嘉泰姆

CXMS5214aIh嘉泰姆

P channelaIh嘉泰姆

-20VaIh嘉泰姆

-8VaIh嘉泰姆

-2.8AaIh嘉泰姆

93mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤aIh嘉泰姆

SOT23/SOT23-3aIh嘉泰姆

CXMS5214-NaIh嘉泰姆

P channelaIh嘉泰姆

-20VaIh嘉泰姆

-12VaIh嘉泰姆

-3.1AaIh嘉泰姆

77mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤aIh嘉泰姆

SOT23aIh嘉泰姆

CXMS5215aIh嘉泰姆

P channelaIh嘉泰姆

-30VaIh嘉泰姆

-12VaIh嘉泰姆

-4.2AaIh嘉泰姆

55mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧aIh嘉泰姆

SOT23/SOT23-3aIh嘉泰姆

CXMS5215-NaIh嘉泰姆

P channelaIh嘉泰姆

-30VaIh嘉泰姆

-20VaIh嘉泰姆

-2.9AaIh嘉泰姆

92mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧aIh嘉泰姆

SOT23aIh嘉泰姆

CXMS5216aIh嘉泰姆

P channelaIh嘉泰姆

-30VaIh嘉泰姆

-20VaIh嘉泰姆

-4.1AaIh嘉泰姆

46mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧aIh嘉泰姆

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CXMS5217aIh嘉泰姆

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Double PaIh嘉泰姆

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-20VaIh嘉泰姆

-6AaIh嘉泰姆

53mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧aIh嘉泰姆

SOP8aIh嘉泰姆

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-30VaIh嘉泰姆

-20VaIh嘉泰姆

-6AaIh嘉泰姆

46mΩaIh嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧aIh嘉泰姆

SOP8aIh嘉泰姆

Applications: ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionaIh嘉泰姆

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