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CXMS5217系列P沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗超低导通电阻高密度电池设计
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CXMS5217系列P沟道增强型场效应晶体管,采用高单元密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低电压应用和低功耗。超低导通电阻高密度电池设计
-30V/-6A RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A

CXMS5217系列P沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗超低导通电阻高密度电池设计
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   产品概述 返回TOPvoy嘉泰姆


CXMS5217SG Series P-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.

   产品特点 返回TOPvoy嘉泰姆


 z -30V/-6A RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =68mΩ@      VGS=-4.5V,ID=-4A voy嘉泰姆

z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance voy嘉泰姆

z Surface mount package:SOP8voy嘉泰姆

   应用范围 返回TOPvoy嘉泰姆


z Power management voy嘉泰姆

z Load switch voy嘉泰姆

z Battery protectionvoy嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP voy嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!voy嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgvoy嘉泰姆

产品封装图 返回TOPvoy嘉泰姆


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Partvoy嘉泰姆

Modevoy嘉泰姆

VDS(Max)voy嘉泰姆

VGSvoy嘉泰姆

ID(Max)voy嘉泰姆

RDS(on)voy嘉泰姆

Applicationvoy嘉泰姆

Packagevoy嘉泰姆

Numbervoy嘉泰姆

CXMS5214voy嘉泰姆

P channelvoy嘉泰姆

-20Vvoy嘉泰姆

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