极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP
高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
-
[ CXMS5255 ]"
目录
产品概述 返回TOP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP
产品特点 返回TOP
高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
应用范围 返回TOP
笔记本、便携式设备等
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
|
MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE |
|||
|
型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
|
18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
|
|
P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23-3 |
|
|
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
||
|
30V P 沟道 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT-23 |
|
|
20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
TFT屏、数码相机、便携式小音响等 |
SOP-8 |
|
|
P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23 |
|
|
-30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOT23-6 |
|
|
20V 高密度 P 沟道 MOS 管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOP-8 |
|
|
30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
|
|
双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) |
笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 |
SOP-8 |
|
|
20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
|
|
30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
|
|
30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
|
