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CX15N10是N通道增强型功率效应晶体管采用高单元密度的先进沟道技术制造高密度工艺特别适合于降低状态电阻适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器
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CX15N10是一种N通道增强型功率效应晶体管,采用高单元密度的先进沟道技术制造,这种高密度工艺特别适合于降低状态电阻,特别适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器

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   产品概述 返回TOP4mN嘉泰姆


The CX15N10 is N channel enhancement mode power effect transitor which is produced using high cell density advanced trench technology.The high density process is especially able to minize on-state resistance.These devices are.especially suited for low voltage application power management DC-DC converters.

   产品特点 返回TOP4mN嘉泰姆


100V/15 A, RDS(ON)=80.0mΩ (typ.)@VGS= 10V4mN嘉泰姆

100V/8A,RDS(ON)=115m Ω(typ.)@VGS= 4.5V 4mN嘉泰姆

Super high design for extremely low RDS(ON) 4mN嘉泰姆

Exceptional on-resistance and Maximum DC current capability 4mN嘉泰姆

Full RoHS compliance4mN嘉泰姆

SOP8 andTO252 package design4mN嘉泰姆

100% UIS Tested 4mN嘉泰姆

 100% Rg tested4mN嘉泰姆

   应用范围 返回TOP4mN嘉泰姆


Power Management 4mN嘉泰姆

DC/DC Converter 4mN嘉泰姆

Load Switch 4mN嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP 4mN嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpg4mN嘉泰姆

产品封装图 返回TOP4mN嘉泰姆


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电路原理图 返回TOP4mN嘉泰姆


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MOSFET
型号 说明
CXMS5202 2A N MOS
CXMS5203 4A/ 20V NMOS
CXMS5206 30V/4A NMOS
CX15N10 15A-100V NMOS