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20V N沟道增强型MOS场效应管极低的导通电阻高密度的单元设计CXMS5265
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CXMS5265 VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP

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VDS= 20V 

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP

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 高级的加工技术 Fi7嘉泰姆

 极低的导通电阻高密度的单元设计Fi7嘉泰姆

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   电源管理、小功率驱动等Fi7嘉泰姆

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