产品信息查询
产品 新闻
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道MOSFETs >CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
0

CXMS5259采用了最新的处理技术,以实现高密度单元,并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来,使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品
 先进的MOS工艺技术
 为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计
 超低的导通电阻与低栅极电荷
 快速切换和反向恢复
 150℃的工作温度
 无铅产品

CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
产品手册
产品订购

产品订购

产品简介

目录

   产品概述 返回TOPFHc嘉泰姆


CXMS5259采用了最新的处理技术,以实现高密度单元,并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来,使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品

   产品特点 返回TOPFHc嘉泰姆


 先进的MOS工艺技术 FHc嘉泰姆

 为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计 FHc嘉泰姆

 超低的导通电阻与低栅极电荷 FHc嘉泰姆

 快速切换和反向恢复 FHc嘉泰姆

 150℃的工作温度 FHc嘉泰姆

 无铅产品FHc嘉泰姆

   应用范围 返回TOPFHc嘉泰姆


用于功率开关等FHc嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP FHc嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!FHc嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgFHc嘉泰姆

产品封装图 返回TOPFHc嘉泰姆


blob.pngFHc嘉泰姆

电路原理图 返回TOPFHc嘉泰姆


blob.pngFHc嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP                  更多同类产品......


MOSFET类   MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBEFHc嘉泰姆

型号FHc嘉泰姆

功能FHc嘉泰姆

适用范围FHc嘉泰姆

封装FHc嘉泰姆

CXMS5250FHc嘉泰姆

N沟道场效应功率管FHc嘉泰姆

航模螺旋桨驱动、其它需大电流驱动的产品FHc嘉泰姆

TO-252FHc嘉泰姆

CXMS5265FHc嘉泰姆

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管FHc嘉泰姆

电源管理、小功率驱动等FHc嘉泰姆

SOT23-3FHc嘉泰姆

CXMS5267FHc嘉泰姆

N 沟道功率 MOS 场效应用管FHc嘉泰姆

锂电池保护板FHc嘉泰姆

TSSOP8FHc嘉泰姆

CXMS5269FHc嘉泰姆

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管FHc嘉泰姆

电源管理、小功率驱动等FHc嘉泰姆

SOP-8FHc嘉泰姆

CXMS5253FHc嘉泰姆

N 沟道功率 MOS 场效应用管FHc嘉泰姆

锂电池保护板FHc嘉泰姆

TSSOP-8FHc嘉泰姆

CXMS5258FHc嘉泰姆

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管FHc嘉泰姆

用于功率开关等FHc嘉泰姆

SOP-8FHc嘉泰姆

CXMS5263FHc嘉泰姆

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管FHc嘉泰姆

电源管理、小功率驱动等FHc嘉泰姆

SOP-8FHc嘉泰姆

CXMS5259FHc嘉泰姆

20V N 沟道 MOSFHc嘉泰姆

用于功率开关等FHc嘉泰姆

DFN(3*3)-8FHc嘉泰姆

CXMS5260FHc嘉泰姆

20V N 沟道 MOSFHc嘉泰姆

用于功率开关等FHc嘉泰姆

DFN(3*3)-8FHc嘉泰姆

CXMS5270FHc嘉泰姆

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管FHc嘉泰姆

锂电池保护板FHc嘉泰姆

TSSOP8/SOT26FHc嘉泰姆