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CX10HN60高压超结MOSFET产品高压超结MOSFET产品超低功耗超低栅电荷量超低输出电容用于计算机主板电源服务器/通信领域适配器液晶和等离子平板电视照明UPS以及工业电源应用领域
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CX10HN60NeoFET基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较,本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源,服务器/通信领域,适配器,液晶和等离子平板电视,照明,UPS以及工业电源应用领域
● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V,ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性
● 超低功耗,超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试

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   产品概述 返回TOP9Nq嘉泰姆


NeoFET基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较,本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源,服务器/通信领域,适配器,液晶和等离子平板电视,照明,UPS以及工业电源应用领域

   产品特点 返回TOP9Nq嘉泰姆


● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V,ID=2.8A9Nq嘉泰姆
● 超高dv/dt耐量9Nq嘉泰姆
● 高速开关可靠性9Nq嘉泰姆
● 超低功耗,超低Rdson*Qg9Nq嘉泰姆
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)9Nq嘉泰姆
● 超低输出电容9Nq嘉泰姆
● 100%雪崩耐量测试9Nq嘉泰姆
● 符合JEDEC无铅标准
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   应用范围 返回TOP9Nq嘉泰姆


● 计算机主板电源9Nq嘉泰姆
● 适配器9Nq嘉泰姆
● 液晶和等离子平板电视9Nq嘉泰姆
● 照明9Nq嘉泰姆
● 通信,服务器9Nq嘉泰姆
● UPS9Nq嘉泰姆
● 开关电源应用
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 QQ截图20160419174301.jpg9Nq嘉泰姆

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电路原理图 返回TOP9Nq嘉泰姆


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N沟道超结MOS
Product Character Darin to Source   Voltage Continuous Drain   Current Drain Current Pulsed Gate to Source   Voltage RDS(ON) Typ.(Ω) Single Pulsed   Avalanche Energy Package
CX4HN60 N-Channel Superjunction MOSFET 0~600V 0~4.5A 0~13A ±30V 0.85 130mJ TO251/252
CX10HN60 N-Channel Superjunction MOSFET 0~600V 0~10A 0~30A ±30V 0.34 200mJ TO220/220FP