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CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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CXSD62104集成了双降压、恒定时间、同步PWM控制器(为每个通道驱动双N通道mosfet)和
两个低损耗稳压器以及各种保护装置集成到一个芯片中。PWM控制器降低电池的高电压以产生NB的低电压应用。PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V通过设置一个从VOUTx到GND的电阻分压器。线性调节器为备用电源提供5V和3.3V输出

CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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产品简介

目录2EZ嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点2EZ嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 2EZ嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   2EZ嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品2EZ嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         2EZ嘉泰姆

        The CXSD62104  integrates dual step-down, constant-ontime, synchronous2EZ嘉泰姆

PWM controllers (that drives dual N-channel MOSFETs for each channel) and2EZ嘉泰姆
two low drop-out regulators as well as various protections into a chip.The PWM2EZ嘉泰姆
controllers step down high voltage of a battery to generate low-voltage for NB2EZ嘉泰姆
applications. The output of PWM1 and PWM2 can be adjusted from 2V to 5.5V2EZ嘉泰姆
by setting a resistive voltage-divider from VOUTx to GND.The linear regulators2EZ嘉泰姆
provide 5V and 3.3V output for standby power supply. The linear regulators2EZ嘉泰姆

provide up to 100mA output current. When the PWMx output voltage is higher 2EZ嘉泰姆

than LDOx bypass threshold, the related LDOx regulator is shut off and its 2EZ嘉泰姆

output is connected to VOUTx by internal switchover MOSFET. It can save power dissipation.2EZ嘉泰姆
     The CXSD62104 provides excellent transient response and accurate DC 2EZ嘉泰姆

output voltage in either PFM or PWM Mode.In Pulse-Frequency Mode (PFM), 2EZ嘉泰姆

the CXSD62104 provides very high efficiency over light to heavy loads with 2EZ嘉泰姆

loading-modulated switching frequencies. The Forced-PWM mode works nearly 2EZ嘉泰姆

at constant frequency for low-noise requirements. The unique ultrasonic mode2EZ嘉泰姆

 maintains the switching frequency above 25KHz, which eliminates noise in audio applications.2EZ嘉泰姆

     The CXSD62104 is equipped with accurate sourcing cur-rent-limit, output2EZ嘉泰姆

under-voltage and output over-voltage protections, being perfect for NB 2EZ嘉泰姆

applications. A 1.7ms (typ.) digital soft-start can reduce the start-up current. 2EZ嘉泰姆

A soft-stop function actively discharges the output capaci-tors by the discharge 2EZ嘉泰姆

device. The CXSD62104 has individual enable controls for PWM channels and 2EZ嘉泰姆

LDOs. Pulling both ENPWM pin and ENLDO pin low shuts down the whole chip2EZ嘉泰姆

with low quiescent current close to zero.2EZ嘉泰姆
      The CXSD62104 is available in a TQFN4x4-24A package.2EZ嘉泰姆
二.产品特点(Features)2EZ嘉泰姆
Wide Input Voltage Range from 6V to 25V2EZ嘉泰姆
Provide 4 Independent Outputs with ±1.5% Accu-2EZ嘉泰姆
racy Over-Temperature2EZ嘉泰姆
- PWM1 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-put2EZ嘉泰姆
PWM2 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-put2EZ嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO5) with Fixed 5V Output2EZ嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO3) with Fixed 3.3V Output2EZ嘉泰姆
Excellent Line/Load Regulations about ±1.5% Over-Temperature Range2EZ嘉泰姆
±1%, (±1.5%, 50μA) 2.0V Reference Voltage Output2EZ嘉泰姆
Built-In POR Control Scheme Implemented2EZ嘉泰姆
Selectable Forced-PWM or Automatic PFM/PWM2EZ嘉泰姆
(with Selectable Ultrasonic Operation)2EZ嘉泰姆
Constant-On-Time Control Scheme with Frequency2EZ嘉泰姆
Compensation for PWM Mode2EZ嘉泰姆
Selectable Switching Frequency in PWM Mode2EZ嘉泰姆
Built-in Digital Soft-Start for PWM Outputs and Soft-2EZ嘉泰姆
Stop for PWM Outputs and LDO Outputs2EZ嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFET2EZ嘉泰姆
High Efficiency over Light to Full Load Range (PWMs)2EZ嘉泰姆
Built-in Power Good Indicators (PWMs)2EZ嘉泰姆
Independent Enable Inputs (PWMs, LDO)2EZ嘉泰姆

70% Under-Voltage and 125% Over-Voltage Protec-tions (PWM)2EZ嘉泰姆

Adjustable Current-Limit Protection (PWMs)2EZ嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)2EZ嘉泰姆
Over-Temperature Protection2EZ嘉泰姆
4mmx4mm Thin QFN-24 (TQFN4x4-24A) package2EZ嘉泰姆
Lead Free and Green Device Available (RoHS Compliant)
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三,应用范围 (Applications)2EZ嘉泰姆

Notebook and Sub-Notebook Computers2EZ嘉泰姆

Portable Devices2EZ嘉泰姆
DDR1, DDR2, and DDR3 Power Supplies2EZ嘉泰姆
3-Cell and 4-Cell Li+ Battery-Powered Devices2EZ嘉泰姆
Graphic Cards2EZ嘉泰姆
Game Consoles2EZ嘉泰姆
Telecommunications
2EZ嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 2EZ嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持2EZ嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg2EZ嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)2EZ嘉泰姆


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六.电路原理图2EZ嘉泰姆


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七,功能概述2EZ嘉泰姆


Input Capacitor Selection2EZ嘉泰姆
The input capacitor is chosen based on the voltage rating and the RMS current rating. For reliable operation, select2EZ嘉泰姆
the capacitor voltage rating to be at least 1.3 times higher than the maximum input voltage. The maximum RMS2EZ嘉泰姆
current rating requirement is approximately IOUT/2, where IOUT is the load current. During power up, the input capaci-tors have to handle large amount of surge current. In low-duty notebook appliactions, ceramic capacitors are2EZ嘉泰姆
remmended. The capacitors must be connected between the drain of high-side MOSFET and the source of low-2EZ嘉泰姆
side MOSFET with very low-impeadance PCB layout. 2EZ嘉泰姆
MOSFET Selection2EZ嘉泰姆
The application for a notebook battery with a maximum volt-age of 24V, at least a minimum 30V MOSFETs should2EZ嘉泰姆
be used. The design has to trade off the gate charge with the RDS(ON) of the MOSFET:2EZ嘉泰姆
· For the low-side MOSFET, before it is turned on, the body diode has been conducted. The low-side MOSFET2EZ嘉泰姆
driver will not charge the miller capacitor of this MOSFET.2EZ嘉泰姆
In the turning off process of the low-side MOSFET,the load current will shift to the body diode first. The2EZ嘉泰姆
high dv/dt of the phase node voltage will charge the miller capacitor through the low-side MOSFET driver2EZ嘉泰姆
sinking current path. This results in much less switching loss of the low-side MOSFETs. The duty2EZ嘉泰姆
cycle is often very small in high battery voltage applications, and the low-side MOSFET will con-2EZ嘉泰姆
duct most of the switching cycle; therefore, the less the RDS(ON) of the low-side MOSFET, the less the power2EZ嘉泰姆
loss. The gate charge for this MOSFET is usually a secondary consideration. The high-side MOSFET2EZ嘉泰姆
does not have this zero voltage switching condition, and because it conducts for less time2EZ嘉泰姆
compared to the low-side MOSFET, the switching loss tends to be dominant. Priority should be given2EZ嘉泰姆
to the MOSFETs with less gate charge, so that both the gate driver loss and switching loss will be minimized.2EZ嘉泰姆
The selection of the N-channel power MOSFETs are de-termined by the RDS(ON), reversing transfer capacitance2EZ嘉泰姆
(CRSS) and maximum output current requirement. The losses in the MOSFETs have two components: conduc-2EZ嘉泰姆
tion loss and transition loss. For the high-side and low-side MOSFETs, the losses are approximately given by2EZ嘉泰姆
the following equations:2EZ嘉泰姆
Layout Consideration2EZ嘉泰姆
In any high switching frequency converter, a correct layout is important to ensure proper operation of the regulator.2EZ嘉泰姆
With power devices switching at higher frequency, the resulting current transient will cause voltage spike across2EZ嘉泰姆
the interconnecting impedance and parasitic circuit elements. As an example, consider the turn-off transition2EZ嘉泰姆
of the PWM MOSFET. Before turn-off condition, the MOSFET is carrying the full load current. During turn-off,2EZ嘉泰姆
current stops flowing in the MOSFET and is freewheeling by the lower MOSFET and parasitic diode. Any parasitic2EZ嘉泰姆
inductance of the circuit generates a large voltage spike during the switching interval. In general, using short and2EZ嘉泰姆
wide printed circuit traces should minimize interconnect-ing impedances and the magnitude of voltage spike. And2EZ嘉泰姆
signal and power grounds are to be kept separating and finally combined to use the ground plane construction or2EZ嘉泰姆

single point grounding. The best tie-point between the signal ground and the power ground is at the negative2EZ嘉泰姆
side of the output capacitor on each channel, where there is less noise. Noisy traces beneath the IC are not2EZ嘉泰姆
recommended. Below is a checklist for your layout:2EZ嘉泰姆
Layout Consideration (Cont.)2EZ嘉泰姆
Keep the switching nodes (UGATEx, LGATEx, BOOTx,and PHASEx) away from sensitive small signal nodes2EZ嘉泰姆
(REF, ILIMx, and FBx) since these nodes are fast mov-ing signals. Therefore, keep traces to these nodes as2EZ嘉泰姆
short as possible and there should be no other weak signal traces in parallel with theses traces on any layer.2EZ嘉泰姆

Minimizing the impedance with wide layout plane be-tween the two pads reduces the voltage bounce of2EZ嘉泰姆

CXSD621042EZ嘉泰姆

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Switching Regulator >   Buck Controller2EZ嘉泰姆

Part_No 2EZ嘉泰姆

Package 2EZ嘉泰姆

Archi2EZ嘉泰姆

tectu2EZ嘉泰姆

Phase2EZ嘉泰姆

No.of2EZ嘉泰姆

PWM2EZ嘉泰姆

Output2EZ嘉泰姆

Output 2EZ嘉泰姆

Current2EZ嘉泰姆

(A) 2EZ嘉泰姆

Input2EZ嘉泰姆

Voltage (V) 2EZ嘉泰姆

Reference2EZ嘉泰姆

Voltage2EZ嘉泰姆

(V) 2EZ嘉泰姆

Bias 2EZ嘉泰姆

Voltage2EZ嘉泰姆

(V) 2EZ嘉泰姆

Quiescent2EZ嘉泰姆

Current2EZ嘉泰姆

(uA) 2EZ嘉泰姆

min2EZ嘉泰姆

max2EZ嘉泰姆

CXSD62732EZ嘉泰姆

SOP-142EZ嘉泰姆

QSOP-162EZ嘉泰姆

QFN4x4-162EZ嘉泰姆

VM    2EZ嘉泰姆

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CXSD62742EZ嘉泰姆

SOP-82EZ嘉泰姆

VM   2EZ嘉泰姆

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13.2 2EZ嘉泰姆

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CXSD6274C2EZ嘉泰姆

SOP-82EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

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2.92EZ嘉泰姆

13.22EZ嘉泰姆

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CXSD62752EZ嘉泰姆

QFN4x4-242EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

22EZ嘉泰姆

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3.12EZ嘉泰姆

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CXSD62762EZ嘉泰姆

SOP-82EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

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2.22EZ嘉泰姆

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CXSD6276A2EZ嘉泰姆

SOP-82EZ嘉泰姆

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CXSD6277/A/B2EZ嘉泰姆

SOP8|TSSOP82EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

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1.25|0.82EZ嘉泰姆

5~122EZ嘉泰姆

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CXSD62782EZ嘉泰姆

SOP-82EZ嘉泰姆

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CXSD6279B2EZ嘉泰姆

SOP-142EZ嘉泰姆

VM   2EZ嘉泰姆

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CXSD62802EZ嘉泰姆

TSSOP-242EZ嘉泰姆

|QFN5x5-322EZ嘉泰姆

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SOP142EZ嘉泰姆

QSOP162EZ嘉泰姆

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CXSD62832EZ嘉泰姆

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TQFN7x7-482EZ嘉泰姆

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-2EZ嘉泰姆

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CXSD62872EZ嘉泰姆

SOP-8-P|DIP-82EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

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-2EZ嘉泰姆

-2EZ嘉泰姆

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DIP8|SOP-82EZ嘉泰姆

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9 ~ 242EZ嘉泰姆

CXSD62922EZ嘉泰姆

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TDFN3x3-102EZ嘉泰姆

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252EZ嘉泰姆

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12EZ嘉泰姆

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12EZ嘉泰姆

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COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

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5~122EZ嘉泰姆

20002EZ嘉泰姆

CXSD621022EZ嘉泰姆

TQFN3x3-162EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

302EZ嘉泰姆

1.82EZ嘉泰姆

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52EZ嘉泰姆

6002EZ嘉泰姆

CXSD62102A2EZ嘉泰姆

TQFN 3x3 162EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

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1.82EZ嘉泰姆

282EZ嘉泰姆

0.62EZ嘉泰姆

52EZ嘉泰姆

6002EZ嘉泰姆

CXSD621032EZ嘉泰姆

QFN4x4-242EZ嘉泰姆

VM2EZ嘉泰姆

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5~122EZ嘉泰姆

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CXSD621042EZ嘉泰姆

TQFN4x4-242EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

22EZ嘉泰姆

152EZ嘉泰姆

62EZ嘉泰姆

252EZ嘉泰姆

22EZ嘉泰姆

N2EZ嘉泰姆

5502EZ嘉泰姆

CXSD621052EZ嘉泰姆

TQFN4x4-242EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

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152EZ嘉泰姆

62EZ嘉泰姆

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N2EZ嘉泰姆

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CXSD62106|A2EZ嘉泰姆

TQFN4x4-42EZ嘉泰姆

TQFN3x3-202EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

22EZ嘉泰姆

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282EZ嘉泰姆

0.752EZ嘉泰姆

52EZ嘉泰姆

8002EZ嘉泰姆

CXSD621072EZ嘉泰姆

TQFN3x3-162EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

202EZ嘉泰姆

1.82EZ嘉泰姆

282EZ嘉泰姆

0.752EZ嘉泰姆

52EZ嘉泰姆

4002EZ嘉泰姆

CXSD621082EZ嘉泰姆

QFN3.5x3.5-142EZ嘉泰姆

TQFN3x3-162EZ嘉泰姆

COT2EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

12EZ嘉泰姆

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1.82EZ嘉泰姆

282EZ嘉泰姆

0.752EZ嘉泰姆

52EZ嘉泰姆

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