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CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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CXSD62104集成了双降压、恒定时间、同步PWM控制器(为每个通道驱动双N通道mosfet)和
两个低损耗稳压器以及各种保护装置集成到一个芯片中。PWM控制器降低电池的高电压以产生NB的低电压应用。PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V通过设置一个从VOUTx到GND的电阻分压器。线性调节器为备用电源提供5V和3.3V输出

CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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产品简介

目录YHT嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点YHT嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 YHT嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   YHT嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品YHT嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         YHT嘉泰姆

        The CXSD62104  integrates dual step-down, constant-ontime, synchronousYHT嘉泰姆

PWM controllers (that drives dual N-channel MOSFETs for each channel) andYHT嘉泰姆
two low drop-out regulators as well as various protections into a chip.The PWMYHT嘉泰姆
controllers step down high voltage of a battery to generate low-voltage for NBYHT嘉泰姆
applications. The output of PWM1 and PWM2 can be adjusted from 2V to 5.5VYHT嘉泰姆
by setting a resistive voltage-divider from VOUTx to GND.The linear regulatorsYHT嘉泰姆
provide 5V and 3.3V output for standby power supply. The linear regulatorsYHT嘉泰姆

provide up to 100mA output current. When the PWMx output voltage is higher YHT嘉泰姆

than LDOx bypass threshold, the related LDOx regulator is shut off and its YHT嘉泰姆

output is connected to VOUTx by internal switchover MOSFET. It can save power dissipation.YHT嘉泰姆
     The CXSD62104 provides excellent transient response and accurate DC YHT嘉泰姆

output voltage in either PFM or PWM Mode.In Pulse-Frequency Mode (PFM), YHT嘉泰姆

the CXSD62104 provides very high efficiency over light to heavy loads with YHT嘉泰姆

loading-modulated switching frequencies. The Forced-PWM mode works nearly YHT嘉泰姆

at constant frequency for low-noise requirements. The unique ultrasonic modeYHT嘉泰姆

 maintains the switching frequency above 25KHz, which eliminates noise in audio applications.YHT嘉泰姆

     The CXSD62104 is equipped with accurate sourcing cur-rent-limit, outputYHT嘉泰姆

under-voltage and output over-voltage protections, being perfect for NB YHT嘉泰姆

applications. A 1.7ms (typ.) digital soft-start can reduce the start-up current. YHT嘉泰姆

A soft-stop function actively discharges the output capaci-tors by the discharge YHT嘉泰姆

device. The CXSD62104 has individual enable controls for PWM channels and YHT嘉泰姆

LDOs. Pulling both ENPWM pin and ENLDO pin low shuts down the whole chipYHT嘉泰姆

with low quiescent current close to zero.YHT嘉泰姆
      The CXSD62104 is available in a TQFN4x4-24A package.YHT嘉泰姆
二.产品特点(Features)YHT嘉泰姆
Wide Input Voltage Range from 6V to 25VYHT嘉泰姆
Provide 4 Independent Outputs with ±1.5% Accu-YHT嘉泰姆
racy Over-TemperatureYHT嘉泰姆
- PWM1 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-putYHT嘉泰姆
PWM2 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-putYHT嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO5) with Fixed 5V OutputYHT嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO3) with Fixed 3.3V OutputYHT嘉泰姆
Excellent Line/Load Regulations about ±1.5% Over-Temperature RangeYHT嘉泰姆
±1%, (±1.5%, 50μA) 2.0V Reference Voltage OutputYHT嘉泰姆
Built-In POR Control Scheme ImplementedYHT嘉泰姆
Selectable Forced-PWM or Automatic PFM/PWMYHT嘉泰姆
(with Selectable Ultrasonic Operation)YHT嘉泰姆
Constant-On-Time Control Scheme with FrequencyYHT嘉泰姆
Compensation for PWM ModeYHT嘉泰姆
Selectable Switching Frequency in PWM ModeYHT嘉泰姆
Built-in Digital Soft-Start for PWM Outputs and Soft-YHT嘉泰姆
Stop for PWM Outputs and LDO OutputsYHT嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFETYHT嘉泰姆
High Efficiency over Light to Full Load Range (PWMs)YHT嘉泰姆
Built-in Power Good Indicators (PWMs)YHT嘉泰姆
Independent Enable Inputs (PWMs, LDO)YHT嘉泰姆

70% Under-Voltage and 125% Over-Voltage Protec-tions (PWM)YHT嘉泰姆

Adjustable Current-Limit Protection (PWMs)YHT嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)YHT嘉泰姆
Over-Temperature ProtectionYHT嘉泰姆
4mmx4mm Thin QFN-24 (TQFN4x4-24A) packageYHT嘉泰姆
Lead Free and Green Device Available (RoHS Compliant)
YHT嘉泰姆

三,应用范围 (Applications)YHT嘉泰姆

Notebook and Sub-Notebook ComputersYHT嘉泰姆

Portable DevicesYHT嘉泰姆
DDR1, DDR2, and DDR3 Power SuppliesYHT嘉泰姆
3-Cell and 4-Cell Li+ Battery-Powered DevicesYHT嘉泰姆
Graphic CardsYHT嘉泰姆
Game ConsolesYHT嘉泰姆
Telecommunications
YHT嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 YHT嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持YHT嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgYHT嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)YHT嘉泰姆


blob.pngblob.pngYHT嘉泰姆

六.电路原理图YHT嘉泰姆


blob.pngYHT嘉泰姆

七,功能概述YHT嘉泰姆


Input Capacitor SelectionYHT嘉泰姆
The input capacitor is chosen based on the voltage rating and the RMS current rating. For reliable operation, selectYHT嘉泰姆
the capacitor voltage rating to be at least 1.3 times higher than the maximum input voltage. The maximum RMSYHT嘉泰姆
current rating requirement is approximately IOUT/2, where IOUT is the load current. During power up, the input capaci-tors have to handle large amount of surge current. In low-duty notebook appliactions, ceramic capacitors areYHT嘉泰姆
remmended. The capacitors must be connected between the drain of high-side MOSFET and the source of low-YHT嘉泰姆
side MOSFET with very low-impeadance PCB layout. YHT嘉泰姆
MOSFET SelectionYHT嘉泰姆
The application for a notebook battery with a maximum volt-age of 24V, at least a minimum 30V MOSFETs shouldYHT嘉泰姆
be used. The design has to trade off the gate charge with the RDS(ON) of the MOSFET:YHT嘉泰姆
· For the low-side MOSFET, before it is turned on, the body diode has been conducted. The low-side MOSFETYHT嘉泰姆
driver will not charge the miller capacitor of this MOSFET.YHT嘉泰姆
In the turning off process of the low-side MOSFET,the load current will shift to the body diode first. TheYHT嘉泰姆
high dv/dt of the phase node voltage will charge the miller capacitor through the low-side MOSFET driverYHT嘉泰姆
sinking current path. This results in much less switching loss of the low-side MOSFETs. The dutyYHT嘉泰姆
cycle is often very small in high battery voltage applications, and the low-side MOSFET will con-YHT嘉泰姆
duct most of the switching cycle; therefore, the less the RDS(ON) of the low-side MOSFET, the less the powerYHT嘉泰姆
loss. The gate charge for this MOSFET is usually a secondary consideration. The high-side MOSFETYHT嘉泰姆
does not have this zero voltage switching condition, and because it conducts for less timeYHT嘉泰姆
compared to the low-side MOSFET, the switching loss tends to be dominant. Priority should be givenYHT嘉泰姆
to the MOSFETs with less gate charge, so that both the gate driver loss and switching loss will be minimized.YHT嘉泰姆
The selection of the N-channel power MOSFETs are de-termined by the RDS(ON), reversing transfer capacitanceYHT嘉泰姆
(CRSS) and maximum output current requirement. The losses in the MOSFETs have two components: conduc-YHT嘉泰姆
tion loss and transition loss. For the high-side and low-side MOSFETs, the losses are approximately given byYHT嘉泰姆
the following equations:YHT嘉泰姆
Layout ConsiderationYHT嘉泰姆
In any high switching frequency converter, a correct layout is important to ensure proper operation of the regulator.YHT嘉泰姆
With power devices switching at higher frequency, the resulting current transient will cause voltage spike acrossYHT嘉泰姆
the interconnecting impedance and parasitic circuit elements. As an example, consider the turn-off transitionYHT嘉泰姆
of the PWM MOSFET. Before turn-off condition, the MOSFET is carrying the full load current. During turn-off,YHT嘉泰姆
current stops flowing in the MOSFET and is freewheeling by the lower MOSFET and parasitic diode. Any parasiticYHT嘉泰姆
inductance of the circuit generates a large voltage spike during the switching interval. In general, using short andYHT嘉泰姆
wide printed circuit traces should minimize interconnect-ing impedances and the magnitude of voltage spike. AndYHT嘉泰姆
signal and power grounds are to be kept separating and finally combined to use the ground plane construction orYHT嘉泰姆

single point grounding. The best tie-point between the signal ground and the power ground is at the negativeYHT嘉泰姆
side of the output capacitor on each channel, where there is less noise. Noisy traces beneath the IC are notYHT嘉泰姆
recommended. Below is a checklist for your layout:YHT嘉泰姆
Layout Consideration (Cont.)YHT嘉泰姆
Keep the switching nodes (UGATEx, LGATEx, BOOTx,and PHASEx) away from sensitive small signal nodesYHT嘉泰姆
(REF, ILIMx, and FBx) since these nodes are fast mov-ing signals. Therefore, keep traces to these nodes asYHT嘉泰姆
short as possible and there should be no other weak signal traces in parallel with theses traces on any layer.YHT嘉泰姆

Minimizing the impedance with wide layout plane be-tween the two pads reduces the voltage bounce ofYHT嘉泰姆

CXSD62104YHT嘉泰姆

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Switching Regulator >   Buck ControllerYHT嘉泰姆

Part_No YHT嘉泰姆

Package YHT嘉泰姆

ArchiYHT嘉泰姆

tectuYHT嘉泰姆

PhaseYHT嘉泰姆

No.ofYHT嘉泰姆

PWMYHT嘉泰姆

OutputYHT嘉泰姆

Output YHT嘉泰姆

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(A) YHT嘉泰姆

InputYHT嘉泰姆

Voltage (V) YHT嘉泰姆

ReferenceYHT嘉泰姆

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(V) YHT嘉泰姆

Bias YHT嘉泰姆

VoltageYHT嘉泰姆

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(uA) YHT嘉泰姆

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CXSD6273YHT嘉泰姆

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QSOP-16YHT嘉泰姆

QFN4x4-16YHT嘉泰姆

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1     YHT嘉泰姆

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13.2YHT嘉泰姆

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CXSD6274YHT嘉泰姆

SOP-8YHT嘉泰姆

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CXSD6274CYHT嘉泰姆

SOP-8YHT嘉泰姆

VMYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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CXSD6275YHT嘉泰姆

QFN4x4-24YHT嘉泰姆

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CXSD6276YHT嘉泰姆

SOP-8YHT嘉泰姆

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CXSD6276AYHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

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CXSD6277/A/BYHT嘉泰姆

SOP8|TSSOP8YHT嘉泰姆

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CXSD6278YHT嘉泰姆

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CXSD6279BYHT嘉泰姆

SOP-14YHT嘉泰姆

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CXSD6284/AYHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

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-YHT嘉泰姆

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CXSD62101|LYHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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3YHT嘉泰姆

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2000YHT嘉泰姆

CXSD62102YHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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CXSD62102AYHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

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1.8YHT嘉泰姆

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600YHT嘉泰姆

CXSD62103YHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

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CXSD62104YHT嘉泰姆

TQFN4x4-24YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

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2YHT嘉泰姆

NYHT嘉泰姆

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CXSD62105YHT嘉泰姆

TQFN4x4-24YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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2YHT嘉泰姆

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CXSD62106|AYHT嘉泰姆

TQFN4x4-4YHT嘉泰姆

TQFN3x3-20YHT嘉泰姆

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CXSD62107YHT嘉泰姆

TQFN3x3-16YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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CXSD62108YHT嘉泰姆

QFN3.5x3.5-14YHT嘉泰姆

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COTYHT嘉泰姆

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1YHT嘉泰姆

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CXSD62109YHT嘉泰姆

TQFN3x3-16YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

20YHT嘉泰姆

1.8YHT嘉泰姆

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TQFN3x3-16YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

20YHT嘉泰姆

3YHT嘉泰姆

28YHT嘉泰姆

1.8|1.5|0.5YHT嘉泰姆

5YHT嘉泰姆

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|QFN3x3-20YHT嘉泰姆

CMYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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5YHT嘉泰姆

28YHT嘉泰姆

0.5YHT嘉泰姆

NYHT嘉泰姆

3000YHT嘉泰姆

CXSD62112YHT嘉泰姆

TDFN3x3-10YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

20YHT嘉泰姆

1.8YHT嘉泰姆

28YHT嘉泰姆

0.5YHT嘉泰姆

5YHT嘉泰姆

250YHT嘉泰姆

CXSD62113|CYHT嘉泰姆

TQFN3x3-20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

15YHT嘉泰姆

6YHT嘉泰姆

25YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

NYHT嘉泰姆

550YHT嘉泰姆

CXSD62113EYHT嘉泰姆

TQFN 3x3 20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

11YHT嘉泰姆

6YHT嘉泰姆

25YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

NYHT嘉泰姆

550YHT嘉泰姆

CXSD62114YHT嘉泰姆

TQFN3x3-20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

11YHT嘉泰姆

5.5YHT嘉泰姆

25YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

NYHT嘉泰姆

280YHT嘉泰姆

CXSD62115YHT嘉泰姆

QFN4x4-24YHT嘉泰姆

VMYHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

60YHT嘉泰姆

3.1YHT嘉泰姆

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0.85YHT嘉泰姆

12YHT嘉泰姆

5000YHT嘉泰姆

CXSD62116A|B|CYHT嘉泰姆

SOP-8PYHT嘉泰姆

VMYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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12YHT嘉泰姆

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CXSD62117YHT嘉泰姆

SOP-20YHT嘉泰姆

VMYHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

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13.2YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

12YHT嘉泰姆

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CXSD62118YHT嘉泰姆

TDFN3x3-10YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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1.8YHT嘉泰姆

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CXSD62119YHT嘉泰姆

TQFN3x3-20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

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REFIN SettingYHT嘉泰姆

5YHT嘉泰姆

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QFN 3x3 20YHT嘉泰姆

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5YHT嘉泰姆

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TQFN3x3 20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

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220YHT嘉泰姆

CXSD62121BYHT嘉泰姆

TQFN3x3 20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

15YHT嘉泰姆

3YHT嘉泰姆

28YHT嘉泰姆

0.75YHT嘉泰姆

5YHT嘉泰姆

220YHT嘉泰姆

CXSD62121YHT嘉泰姆

TQFN3x3-20YHT嘉泰姆

COTYHT嘉泰姆

1YHT嘉泰姆

2YHT嘉泰姆

20YHT嘉泰姆

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