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大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82105 高端的工作电压可达120V，Vcc 的电源电压范围宽8V～30V，静态功耗低仅3.5mA闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时
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