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评论：NXH80T120L2Q0PG PIM采用安森美半导体的专有沟槽第二代场截止技术(FSII)及强固的超快快速恢复二极管，配置为1200伏(V)、80 A半桥和600 V、50 A中点钳位式T型拓扑结构，达到超过98%的能效。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚，为客户提供高性能和可靠的功率模块方案 |
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