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高压MOS场效应管 | ||||||||||
型号 | 沟道 | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS(on) | 封装 | 状态 | |
(Max) | (Typ) | (Max) | (MAX) | (Max) | PDF文件 | |||||
JTM1N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 1.3A | 5A | 8.5Ω | TO-92/TO-251/ | 量产 | |
TO-252 | ||||||||||
JTM2N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 2A | 6A | 4.5Ω | TO-251/TO-252/ | 量产 | |
TO-220/TO-220F | ||||||||||
JTM4N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 4A | 16A | 2.4Ω | TO-251/TO-252/ | 量产 | |
TO-220/TO-220F | ||||||||||
JTM5N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 5A | 20A | 2.0Ω | TO-251/TO-252/ | 量产 | |
TO-220/TO-220F | ||||||||||
JTM7N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 7A | 28A | 1.2Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM8N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 8A | 32A | 1.0Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM10N60 | N沟道 | 600V | 30V | 4.5V | 9.5A | 40A | 0.75Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM12N60 | N沟道 | 600V | 30V | 5V | 12A | 48A | 0.65Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM20N60/F/A | N沟道 | 600V | 30V | 4V | 20A | 80A | 0.36Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
TO-3P | ||||||||||
JTM4N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 4A | 16A | 3Ω | TO-220/ | 量产 | |
TO-220F/TO-252 | ||||||||||
JTM5N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 5A | 20A | 3Ω | TO-220/ | 量产 | |
TO-220F/TO-252 | ||||||||||
JTM7N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 7A | 28A | 1.26Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM8N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 8A | 32A | 1.26Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM10N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 10A | 40A | 0.85Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM12N65 | N沟道 | 650V | 30V | 4V | 12A | 48A | 0.75Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM13N50 | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 13A | 52A | 0.48Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM16N50/F | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 16A | 64A | 0.3Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM18N50A/F | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 18A | 64A | 0.24Ω | TO-3P/TO-220F | 量产 | |
JTM20N50F/A | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 20A | 80A | 0.26Ω | TO-220F/TO-3P | 量产 | |
JTM24N50A | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 25A | 101A | 0.17Ω | TO-3P | 量产 | |
JTM2N70L/K | N沟道 | 700V | 30V | 4V | 2A | 8A | 5.5Ω | TO-251S/TO-252 | 量产 | |
JTM3N70L | N沟道 | 700V | 30V | 4V | 3A | 12A | 3Ω | TO-251S | 量产 | |
JTM6N70 | N沟道 | 700V | 30V | 4V | 6A | 24A | 1.8Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
TO-251/TO-252 | ||||||||||
JTM9N70 | N沟道 | 700V | 30V | 4V | 9A | 36A | 1.2Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
TO-251 | ||||||||||
JTM3N80 | N沟道 | 800V | 30V | 4V | 3A | 12A | 4.0Ω | TO-220 | 量产 | |
JTM7N80 | N沟道 | 800V | 30V | 4V | 7A | 28A | 1.9Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM10N80F/A | N沟道 | 800V | 30V | 4V | 10A | 40A | 1.0Ω | TO220F/TO-3P | 量产 | |
JTM3N90I | N沟道 | 900V | 30V | 3V | 3A | 12A | 5Ω | TO-251 | 量产 | |
JTM5N90 | N沟道 | 900V | 30V | 4V | 5A | 20A | 2.1Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM9N90A/F | N沟道 | 900V | 30V | 4V | 9A | 36A | 1.4Ω | TO-3P/TO-220F | 量产 | |
JTM830/F | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 4.5A | 18A | 1.5Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM840/F | N沟道 | 500V | 30V | 4V | 8A | 32A | 0.8Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM3N40R | N沟道 | 400V | 30V | 3V | 3A | 9A | 2.8Ω | SOT-223 | 量产 | |
JTM730/F | N沟道 | 400V | 30V | 4V | 5.5A | 22A | 1Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM740/F | N沟道 | 400V | 30V | 4V | 10A | 40A | 0.54Ω | TO-220/TO-220F | 量产 | |
JTM3N25I/K | N沟道 | 250V | 20V | 3.3V | 3A | 12A | 1Ω | TO-251/TO-252 | 量产 | |
JTM630 | N沟道 | 200V | 30V | 4V | 9A | 36A | 0.4Ω | TO-220 | 量产 | |
JTM640 | N沟道 | 200V | 30V | 4V | 9A | 36A | 0.4Ω | TO-220 | 量产 | |
耗尽型MOS场效应管 | ||||||||||
型号 | 沟道 | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS(on) | 封装 | 状态 | |
(Max) | (Typ) | (Max) | (Max) | (Max) | PDF文件 | |||||
JTM5001 | N沟道 | 600V | 20V | 1.8V | 30mA | 120mA | 350Ω | SOT-23 | 量产 | |
耗尽型 |
备注: | ||||||||||
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。 | ||||||||||
2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。 | ||||||||||
3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上. | ||||||||||
4.MOS 电路操作注意事项: | ||||||||||
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏: | ||||||||||
• 操作人员要通过防静电腕带接地。 | ||||||||||
• 设备外壳必须接地。 | ||||||||||
• 装配过程中使用的工具必须接地。 | ||||||||||
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输 | ||||||||||
我司的高压MOS产品(JTM1N60/2N60/4N60/5N60/7N60/8N60/10N60/12N60/20N60/4N65/5N65/7N65/8N65/10N65/ | ||||||||||
12N65/13N50/20N50/6N70/9N70/7N80/10N80/9N90/530/630/640/730/740/830/840)有以下优点: | ||||||||||
1.均采用先进的8寸晶圆设计,韩国投片生产,品质和韩国进口品牌可以媲美的。 | ||||||||||
2.JTM1N60/2N60/4N60/5N60/7N60/8N60/10N60/12N60/20N60大部分耐压可达650V,少部分耐压在620-630V。 | ||||||||||
3.JTM4N65/5N65/7N65/8N65/10N65/12N65大部分耐压可达700V,少部分耐压在670-680V。 | ||||||||||
产品应用: | ||||||||||
1.LED电源 | ||||||||||
2.电源(开关电源、UPS电源、通信电等) | ||||||||||
3.充电器 | ||||||||||
4.适配器 | ||||||||||
5.电源板 | ||||||||||
6.小家电、家电电源板 | ||||||||||
7.电动车控制板 | ||||||||||
8.电动工具 | ||||||||||
9.电脑主板、显卡 |
NeoFET | ||||||||
Product | Character | Darin to Source Voltage | Continuous Drain Current | Drain Current Pulsed | Gate to Source Voltage | RDS(ON) Typ.(Ω) | Single Pulsed Avalanche Energy | Package |
JTPN4HN60 | N-Channel Superjunction MOSFET | 0~600V | 0~4.5A | 0~13A | ±30V | 0.85 | 130mJ | TO251/252 |
JTPN10HN60 | N-Channel Superjunction MOSFET | 0~600V | 0~10A | 0~30A | ±30V | 0.34 | 200mJ | TO220/220FP |
Product | Character | Data Rates | VDD Voltage | Reference Voltage | Standby Current | Operating Current | Cross Reference | Package |
JTPN2200 | Dual Track F/2F Decoder | 200~15000bit/s | 5V | 1.63~1.7V | 2.5mA | 1.8~3.5mA | M3-2200 | SOP28 |
Product | Character | VDD Voltage | Vcc Voltage | ESD | UVLO | Hysteresis | Over Current Protection | Package |
JTPN2300 | IC Card Interface | 2.5~5V | 1.8V/3V/5V | 8KV | 2.45V | 0.1V | 120mA | SOP28 |
JTPN2300A | IC Card Interface | 2.5~5V | 3V/5V | 8KV | 可调 | 0.1V | 120mA | SOP28 |