CXAC85263双管正激电源方案:实现5V/40A高效稳定输出的工业级设计
引言
在工业自动化、通信设备和服务器电源领域,高效稳定的直流电源方案至关重要。本文深度解析基于CXAC85263控制芯片的双管正激电源方案,该方案可实现5V/40A(200W)输出,最高效率达88.5%,兼具高精度与强保护功能。
一、核心方案特性
1.1.高性能控制芯片
1.1.1)前级采用CXAC85263(集成600V半桥驱动的电流模式PWM控制器)
1.1.2)次级同步整流使用FANG204控制器,降低导通损耗
1.2.电气参数
参数 | 数值 |
---|---|
输入电压 | AC 220V±10%(176~264Vrms) |
输出电压 | 5V±0.1V(负载/电压调整率≤1%) |
输出电流 | 40A(最大40.5A) |
输出纹波 | ≤210mV@40A |
工作效率 | 最高88.5%@满载 |
工作温度 | -10℃~50℃ |
1.3.保护机制:过流保护(触发值46A)、短路保护、VCC欠压保护
1.4.紧凑结构:PCB尺寸:190mm×76mm×25mm
1.5.效率曲线
二、双管正激拓扑技术优势
4.1 核心工作原理

4.1.2)代码
graph LR A[输入滤波] --> B[双管正激变换器] B --> C[同步整流] C --> D[LC滤波输出]
4.1.3)磁芯能量回收:开关管关断时,励磁电流通过D1/D2返回输入电源,无需复位绕组。
4.1.4)电压应力低:初级开关管仅承受输入电压(对比单管正激降低50%耐压需求)。
4.1.5)无直通风险:Q1/Q2串联于桥臂,同步开关消除短路隐患。
4.2 关键电路设计
4.2.1)功率级:
4.2.1.1)初级MOS管:NCE651540K(TO-252封装)
Q1、Q2 这 2 个 MOS 管特性对整机的转换效率有明显影响,所以要选择导通内阻小,
以及结电容(Ciss、Coss、Crss)小的 MOS 管。
在调试时,注意 MOS 管的开关毛刺尖峰,如果尖峰过大,可以将 MOS 管门级电阻改大。
4.2.1.2)次级整流:NCEP3090GU(PDFN5×6低内阻MOS)
4.2.2)滤波设计:
4.2.2.1)输入电容:150μF/400V电解电容(高频低阻型)
4.2.2.2)输出电容:4×220μF/25V并联(降低纹波)
C1 为输入电容,C5、C6、C7、C8 为输出电容,这 4 个电容特性对整机的转换效率有明显影响,
所以要选择高频低内阻的电容,以提高效率。
4.2.2.3)储能电感:4.7μH铁硅铝磁环电感
4.3.双管正激变换器原理
本方案主电路采用双管正激变换器,主要优点为;
4.3.1)变压器储能有释放回路,不需要另设复位电路或复位绕组。主要原因是在开关管导通
时,变压器励磁,而开关管闭合时由桥臂上的两个二极管续流,磁芯去磁,同时磁芯
能量返回直流电源;
4.3.2)变压器初级电路半导体器件承受的电压等于转换器的输入电压,而单管正激需要更高
的耐压器件;
4.3.3)双管正激相对于其他多管的变换器拓扑而言,两个开关管无直通短路的危险。因两个
开关管在桥的对角线上,正常工作时就是两管同时导通,同时关断,此时变压器初级
绕组承受电压,所以没有直通危险。
本方案前级控制采用集成 600V 半桥驱动电流模式 PWM 控制器 CXAC85263,具 VCC 欠压保护
(UVLO)、 逐周期电流限制、过载保护、软启动等。次级采用 FAN6204 同步控制器,导通损
耗大大低于肖特基二极管方案。
双管正激变换器主电路原理图如图 4-1 所示,其 中 C1 为输入直流滤波电解电容,Q1、Q2
为初级功率开关管,D1、D2 为变压器磁通复位二极管,T1 为主变压器,Q3、Q4 分别为次级的
整流管和续流管,L1、C2和 R1 分别为储能电感、输出滤波电容和负载。CXAC85263 控制初级 MOS
管 Q1、Q2 同时导通时,将能量从变压器初级传送到次级;在次级,整流 MOS 管 Q3 导通,将变
压器能量传送到储能电感 L1、输出滤波电容和负载。当初级 MOS 管 Q1、Q2 同时关闭时,变压
器励磁电流流经正向偏置的 D1、D2 并流回电源,直至初级的全部励磁能量和储存在漏感中的
能量返回输入电源;在次级,续流 MOS 管 Q4 导通,将 L1 电感能量传送到负载。
三、实测性能数据
5.1 稳态性能(AC 220V/50Hz)
测试项 | 条件 | 数值 |
---|---|---|
输出电压精度 | 0-40A负载跳变 | ±0.25V |
纹波噪声 | 40A满载 | 200mVpp |
效率 | 40A满载 | 88.2%~88.5% |
5.2 动态响应
5.2.1)负载瞬变(0A↔40A):输出电压恢复时间<500μs
5.2.2)过流保护:46A触发保护,响应时间<1ms
四、关键元器件选型指南
4.1 核心器件BOM
器件 | 型号 | 规格 | 作用 |
---|---|---|---|
U4 | CXAC85263 | SOP-16 | 主控制器 |
Q1/Q2 | NCE651540K | TO-252 | 初级开关管 |
Q3 | NCEP3090GU | PDFN5×6 | 次级整流MOS |
T1 | PQ320变压器 | 立式6+6骨架 | 能量转换 |

4.2 选型要点
4.2.1)电容选型:输入/输出电容需满足低ESR、高频特性(如固态电解电容)
4.2.2)MOS管优化
4.2.2.1)优先选择Rds(on)<10mΩ、Ciss/Coss小的器件
4.2.2.2)门极电阻可调(抑制开关尖峰)
4.2.3)变压器工艺
4.2.3.1)初级绕组:2×18匝ϕ0.6mm漆包线
4.2.3.2)次级绕组:2匝铜箔(0.2mm×8mm)
4.2.3.3)绝缘耐压:初级-次级≥2500V AC
4.2.4)变压器绕制图
五、方案优势总结
5.2.高可靠性:双管拓扑规避直通风险,支持-30℃~65℃存储
5.3.精准调控:电压/负载调整率≤1%,纹波控制在200mV内
5.4.紧凑设计:190mm×76mm PCB布局优化空间利用率
六. 典型波形
6.1.启动波形
6.1.1)测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V0A
CH2:输入电解电容波形,CH4:输出 5V 波形
6.1.2)测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A
CH2:输入电解电容波形,CH4:输出 5V 波形
6.2.稳态工作 测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A。
CH4:上管 Vs 的波形,CH2:下管驱动 Vgs 的波形。
6.3.输出纹波 测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A。
CH4:输出纹波约 200mV(交流耦合)
6.4.瞬态响应
6.4.1)测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A。
CH4:输出 5V 波形,CH3:下管 Vgs 波形
6.4.2)测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A。
CH2:下管 Vgs 波形,CH4:输出 5V 波形
6.5.过流保护 测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V46A,过流。
CH2:上管 Vs 相对于地的波形,CH3:输出 5V 波,CH4:下管 Vgs 波形
6.6.短路保护 测试条件:输入 AC 220V/50Hz,输出 5V40A,短路。
CH3:输出 5V 波,CH4:下管 Vgs 波形
七.方案原理图
八.方案 PCB
7.1 PCB 板图
7.1.1)Top层器件位号图
7.1.2)Bottom层器件位号图
7.1.3)Bottom层走线图
九.应用场景建议
此方案特别适用于:
工业控制设备主电源
服务器辅助电源(ATX 5VSB)
大电流充电模块
通信基站供电系统