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CXLE82105大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片闭锁功能防止输出功率管同时导通输入通道LIN内建上拉5V高电位HIN内建10K下拉电阻输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出采用半桥式达林顿管结构
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CXLE82105高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82105 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
高端悬浮自举电源设计,耐压可达120V
内建死区控制电路
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道控制高端HO 输出
LIN 输入通道控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小:3.5mA

CXLE82105大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片闭锁功能防止输出功率管同时导通输入通道LIN内建上拉5V高电位HIN内建10K下拉电阻输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出采用半桥式达林顿管结构
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产品简介

目录

1.产品概述       2.产品特点     6l1嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)6l1嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  6l1嘉泰姆

7.相关产品6l1嘉泰姆

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         CXLE82105 高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82105 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。

   产品特点 返回TOP6l1嘉泰姆


 高端悬浮自举电源设计,耐压可达120V6l1嘉泰姆

内建死区控制电路6l1嘉泰姆

自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通6l1嘉泰姆

采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力6l1嘉泰姆

专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动6l1嘉泰姆

HIN 输入通道控制高端HO 输出6l1嘉泰姆

LIN 输入通道控制低端LO 输出6l1嘉泰姆

外围器件少6l1嘉泰姆

静态电流小:3.5mA6l1嘉泰姆

封装形式:SOP-86l1嘉泰姆

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电动摩托车控制器6l1嘉泰姆

电动自行车控制器6l1嘉泰姆

100V 降压型开关电源6l1嘉泰姆

变频水泵控制6l1嘉泰姆

无刷电机驱动器6l1嘉泰姆

高压Class-D 类功放6l1嘉泰姆

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型号6l1嘉泰姆

工作型号6l1嘉泰姆

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