
CXCP5366采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低工作电压栅极电压可低至2.5V适合用于电池保护或PWM开关中的应 用
| 产品型号: | CXCP5366 |
| 产品类型: | MOSFET |
| 产品系列: | P沟道MOSFETs |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 41 次 |
产品简介
CXCP5366采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低工作电压,栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护,或PWM开关中的应 用
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | V ~ -20V V |
|---|---|
| 输出电压 (VOUT) | 52 毫欧V |
| 输出电流 (IOUT) | -4.1A A |
| 封装类型 | SOT23-3 |
| Channel type | P沟道 |
| Rated voltage | 栅极阈值电压):0.7V |
| Rated current | 最大导通电流:-4.1A |
| On resistance | 52 毫欧 |
产品详细介绍
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产品概述 返回TOP
CXCP5366采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低工作电压,栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护,或PWM开关中的应 用。
产品特点 返回TOP
电池保护
负载开关
电源管理
应用范围 返回TOP
VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V
较高的功率和电流处理能力
3 管脚 SOT23 封装
产品无铅,满足 rohs,不含卤素
技术规格书(产品PDF) 返回TOP要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

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型号 |
最大漏源电压 |
栅极阈值电压 |
最大导通电流 |
导通阻抗 |
封装 |
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-20V |
0.7V |
-4.1A |
52 毫欧 |
SOT23-3 |

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