P沟道增强型场效应管CXCP5365低导通电阻高可靠性驱动要求简单

P沟道增强型场效应管CXCP5365低导通电阻高可靠性驱动要求简单

产品型号:CXCP5365
产品类型:MOSFET
产品系列: P沟道MOSFETs
产品状态:量产
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产品简介

CXCP5365

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ VDS(Max):-20V
输出电流 (IOUT)-11A
封装类型SOT-23-3
Channel typeP沟道
Rated voltageVGS(Max):±12
Rated currentID (Max):-3.6
On resistance6.0mΩ
Power dissipationIs(A):-1.25

产品详细介绍

目录
1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载(产品PDF文档) 
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品


一,产品概述(General Description)      

VDSS ID RDS(ON)(mΩ)TYP
-20V -3.6A  95 @ VGS=-4.5V
115@ VGS=-2.5V

二.产品特点(Features)

导通电阻 
可靠性 
驱动要求简单 
三,应用范围 (Applications)

四.技术规格书下载(产品PDF)

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

 QQ截图20160419174301.jpg

五,产品封装图 (Package)

image.png
六.电路原理图

image.png
七,功能概述

参数 符号 极限值 单位
最大漏源电压 VDS -20 V
最大栅源电压 VGS ±12 V
结温 125℃下,最大漏极电流 ID -3.6 A
最大漏极脉冲电流 IDM -11 A
源漏二极管最大正向电流 Is -1.25 A
最大消散功耗 PD 1.25 W
工作温度范围 Tj -55—150

八,相关芯片选择指南

产品名称 Vdss(V) Vgss(V) Id(A) Idm(A) Is(A) 封装形式
CXCP5362 -30 ±20 -4.4 -30 -1 SOT-23-3
CXCP5363B -20 ±12 -1.1 -2.4 -0.26 SOT-523
CXCP5363 -20 ±12 -0.8 -2.8 -0.58 SOT-23-3
CXCP5364 -20 ±12 -0.8 -1.8 -0.58 SOT-23-3
CXCP5365 -20 ±12 -3.6 -11 -1.25 SOT-23-3

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