CXMS5220 CXMS5220-N系列N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造主要用于减小导通电阻超低导通电阻高密度电池设计

目录

• 1.产品概述       2.产品特点     

• 3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

• 5.产品封装       6.电路原理图  

• 7.相关产品

   产品概述 返回TOP

CXMS5220XG CXMS5220-N Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package

   产品特点 返回TOP

 20V/3A RDS(ON) =29mΩ@ VGS=4.5V, ID=3A RDS(ON) =36mΩ@ VGS=2.5V, ID=2A 

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 

 Subminiature surface mount package:SOT23

   应用范围 返回TOP

 Battery management 

 High speed switch 

 Low power DC to DC converter

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 

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产品封装图 返回TOP

电路原理图 返回TOP

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